半导体物理领域的回顾与展望.PDFVIP

半导体物理领域的回顾与展望 谢 希 德 (复旦大学) 第20届国际半导体物理会议于1990年8月6一l0日在希腊的Thessaloniki举行。会议由 亚里斯多德大学主办 。与会者约 910余人，来 自39个不同的国家。人数最多的是美罾，、人 数在 0人以上的除东道主国外还有西德 、英国、苏联、 日本、法国等国’人数在 10一曲人 的有10个国家，人数在 1～10人的有22个国家，其中来自我国 (不计在 国外的学生)的有 9人。由此看出，各国间的科学水平和经济实力的差距正在拉大。会议收到论文摘要 1240 篇，经反复筛选 ，接受了 600篇，比上届 (400篇)要多50 。 大会报告共 8篇，它们是：s{表面的化学、电子结构和电学性质的原子分 辨、扫 描 隧道显微术研究 (美国 IBM的Ph．Avouris)，量子线和点的光谱 (西德斯图加特 的 D Heitmann)，在强磁场下二维 电子的相关性 (美国Bell实验室的J．P．Eiseastein)，半 半导体中的氢 (美国伯克利加州大学的E．E．Hailer)，材料性质的从头计算 (荚亘鹅桥 大学的M．Payne)，边缘、接触和霍耳效应 (美国IBM 的M．Buttiker)，具有表程序 随意势∞二维电子气的状态密度和局域化 (苏联列宁格勒A．F．约飞技术研究所的A．L． Efros)，高分辨显微术和界面结构 (美国Bell实验室的J．M．Gibson) 会议还安排了 “迎接0O年代半导体技术的挑战”专蹰报告 3篇，以及42篇分组邀请报告。 分组报告 A)与超晶格和量子阱有关的报告最多，约8O篇 (括号内为文章篇数) si／Ge超 晶 格 (4)，形变超晶格 (5)， Ⅱ一Ⅵ族 (6)，禁闭的(Confined)输运 (4)，禁闭的杂质 (10)， 禁闭的声子 (5)，禁闭的激子 (7)，磁隧道 (5)，超晶格光谱 (4)，超品格隧道 (5)，磁光学 (5)，斯塔克效应 (3)，低难 的光谱 (5)．量子霍耳效应 (5)，新结构和器件 (7)。 B)与介观 (mesoscopic)系统有关的有14篇：量子输运 (3)，量子线(6)，量子线和 量子点 (5) c)表面、界面和薄膜共24篇：硅绝缘体 (3)，肖特基势垒 (4)，硅表面，界面 (5)，硅 表 面 (6)，Ⅲ一v族表面(5)，薄膜生长 (5)，金刚石薄膜 (3)。 D)体效应共6l篇，其中仍 以杂质研究 占重要地位，约 占体效应文章的50 。电子结 构 (3)，输运(5)。杂质和缺陷占3l篇：砷化镓 中的 EL：()，硅中的杂质 (5)，H络合物 (5)，DX中心 (6)，浅杂质 (5)，深中心的自旋 (5)，热载流子 (5)，体激发 (6)，自旋动力 学 (6)(主要涉及稀释磁性半导体)，光学性质 ()。 E)其它共2l篇：相变 ()，无定型半导体 (5)，新现象 (6)，器件物理 (6)(大多与器 件 ·44 · 的小型化有关)。 张贴报告 A)超晶格、异质结和量子阱等，共分两次贴出，约有 160篇 ·电子结构 (7)，Si／Ge= 超晶格(7)，光学性质、激 子(63)，隧道 (16)，集体激发声子(11)，杂质和缺陷(5)，形变， 层、超晶格 (15)， Ⅱ一Ⅵ族超晶格 (7)，新结构和器件 (6)，量子线和量子阱 (19)。 B)体性质约 143篇：电子结构 (18)，推运 (12)，热载滴子 (16)，浅杂质 (J ，·襟 杂 质 (32)，磁性杂质 (9)，扩散 (1)，光学性质和激子 (38)。 C)表面和界面约3篇：原子和电子结构 (17)，吸附和表面反应 (6)，薄膜外 延(9)， 接触 (3)。 D)一般：相变 (11)，无定型 (33)，器件物理 (5)，工艺科学 (1)。 从上面可看出研究重点是在各种超晶格、量子肼及一些新结构中的各种物理性质。 大会报告 1．关于扫描隧道显搬术 (STM) 这是一个发展非常迅速的研究表面的实验手段。亚里斯多德大学校友现在 美 国_I潮匝 工作的Ph．Avouris作了关于用原子