扫描电镜在纳米测量中的成象误差-中华微束分析技术平台首页.PDFVIP

扫描电镜在纳米测量中的成像误差 张训彪 曾荣树 卢德生 李冉 廖宗廷 李戎 杨清 摘要 本文从扫描电镜二次电子像成像原理出发，分析用扫描电镜测量纳米尺度时 可能出现的成像误差。重点分析了《成份边界的成像误差》，并提出了减小成份 边界成像误差的方法。分析了《台阶的成像误差》也提出了减小台阶成像误差的 方法。同时提请纳米测量者注意《渐变边界的成像误差》。在讨论中提出：在纳 米测量中，应尽量避免用边界作为测量的标记点或标记线；纳米标准器具，更应 避免用边界作为标记点或标记线；最好用成份细线的中心点或中心线作为标记点 或标记线；其次是用小颗粒的中心点，细刻线的中心线作为标记点或标记线。为 研究纳米标准器具提出了技术方向。 提示词 纳米测量 扫描电镜 成像误差 纳米标准器具 前言 扫描电镜可以将微小的物体放大几十万倍，可以看到大于1 纳米的物体，而 且能观测各种不同厚度、各种不同大小的物体，所以有希望用扫描电镜进行纳米 尺度的测量。我们说“有希望”而不说“可以”是因为真正意义的“测量”，不 仅需要有观测仪器，而且需要有标准器具，误差分析和标准测量方法。误差分析 是测量科学的核心，它关系着测量技术的成败。用扫描电镜进行测量，有许多误 差需要分析研究，其中成像误差是容易被人们忽视的一个误差。因为多数情况， 成像误差是可以忽略不计的，而在纳米测量中，由于测量精确度高，成像误差就 不能不考虑了，本文重点介绍扫描电镜的成像误差。 1 扫描电镜的成像原理 扫描电镜的成像原理可以简述如下：聚焦的高能电子束按顺序在样品表面扫 描，样品在高能电子的激发下产生各种信号。接收每个点的信号，用其强度调节 显示器的相应点亮度，则得到样品工作面的图象。显示器上的点距大于样品表面 的点距，则得到放大的图象。 高能电子激发出来的信号有许多种，能分别显示出各种图象，如：二次电子像， 背散射电子像、吸收电子像，透射电子像，俄歇电子像，X 射线像等。其中以二 次电子像的分辨力较高，适合于纳米测量，本文就二次电子像进行分析。 2 二次电子像 高能电子入射样品，样品中的电子受到激发从样品中逸出。入射的高能电子 称为一次电子，从样品中逸出的低能电子称为二次电子。 二次电子的强度与入射电子的强度有关，一般情况入射电子的强度大，二次 电子的强度也大。其次二次电子强度与入射电子的入射角有关。如果从一次电子 的入射点，作样品表面的法线，二次电子的入射线与法线的夹角为入射角，则入 射角越大，二次电子的强度越大，第三，二次电子强度与样品中的化学成份有关， 一般情况平均原子量大的样品，二次电子强度较大。 二次电子成像时，一般情况是：入射电子的强度不变，入射电子的方向基本 不变，样品工作面的方向也不变。如果样品表面是平滑的，工作面的成份不同， 二次电子强度随着样品工作面成份的变化而变化，形成图象反差，得到的是样品 成份像。如图1 所示。图1 （a ）是样品的垂直截面，不同的区域成份不同。图1 （b ）是二次电子的强度曲线。 如果样品工作面成份相同，而表面高低不平，则样品表面的局部发生倾斜， 从而改变了一次电子的入射角，也就改变了二次电子的强度，形成图象反差，得 到样品的形貌像。如图 2 所示。图2 （a ）为样品的垂直截面，不同的区域有不同的倾斜角。图2 （ b ） 为二次电子的强度曲线，与样品表面倾斜度有关。多数情况是成份反差和形貌反 差并存，而且是形貌反差为主。 根据成份反差或形貌反差，可以从二次电子像中确定被测物体的标记点或标 记线，进而测定物体的尺度。 一次电子束的直径很小，对测量误差的影响不大。 3 入射电子的扩散 高能入射电子进入样品以后受到样品粒子作用，直径逐步扩大，其扩散区域 如同一个生梨，见图3a，阴影部分为入射电子的扩散区域。 幸运的是，二次电子的能量较小，样品深处的二次电子被样品吸收，不能逸 出样品；只有表层的二次电子能够逸出样品，才有可能被二次电子接收器接收。 入射电子在样品表层扩散的区域较小。图3a 的虚线表示发射二次电子的深度， 尽管如此，与入射电子束的直径相比，