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磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ，
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磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运!
郭 永 顾秉林
（清华大学物理系，北京 ）
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川添良幸
（日本东北大学金属材料研究所，仙台 ）
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（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质 结果表明电子自旋输运的性质不
*
仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢，而且取决于偏置电压 在零偏压下，由等同的磁垒磁阱构
*
成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点，而由不等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点*
偏置电压极大地改变了磁量子结构中电子的极化程度，使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运
性质也显著地依赖于电子的自旋指向*
关键词：磁量子结构，自旋电子，隧穿输运，自旋极化
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料、超导材料等实现了对异质结面处二维电子气体
引 言 的纳米尺度的磁调制 异质界面处的电子气体在具
! *
有纳米尺度的非均匀磁场中的量子行为显著不同于
近年来凝聚态体系中电子的自旋极化行为引起 电子在均匀磁场作用下的行为 人们对此已进行了
*
［— ］
了人们极大的研究热情 ! !. 这一方面是因为其 大量的卓有成效的研究 譬如，由磁垒磁阱构成的
* *
［ ， ］ ［ ］
中有丰富的物理内涵，另一方面是具有潜在的十分 )))- )$
磁量子结构中的波矢过滤效应 、电场效应 、
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