新型抗总剂量效应版图加固器件.docVIP

新型抗总剂量效应版图加固器件 　　本文设计了一种新型的抗辐射Z栅MOS器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环栅MOS器件相比，具有较小的版图面，较小的栅电阻，并且对于器件沟道宽长比设计不受限。通过与非抗辐射结构条栅MOS器件和抗辐射结构环栅MOS器件的Id-Vg曲线进行对比，验证了Z栅MOS器件的抗辐射性能，可达到辐射剂量为500krad（Si）的加固水平，满足大多数对器件加固水平的要求。此外，对比了器件在辐射前后的阈值电压，进一步验证了Z栅MOS器件能够有效减小由于总剂量（TID）效应引起的器件特性变化。所有仿真结构通过Sentaurus TCAD对器件进行三维仿真得到 【关键词】总剂量效应 NMOSFET 版图 阈值电压 关态漏电流 浅沟槽隔离 总剂量效应（TID效应）会导致在半导体器件中的引起异常，在氧化物中和界面处产生陷阱电荷和界面态，导致MOS器件的关态漏电流增大，阈值电压漂移。由于工艺的进步，工艺尺寸不断减小，在厚度小于10nm的超薄氧化物中，净电荷很小因而可以忽略，并且在0.25μm及以下工艺中，即使在非常高的剂量下，辐射引起的阈值电压的变化也可以忽略不计。因而，较厚的氧化物如浅沟槽隔离氧化物（STI）是TID效应对器件性能的影响的主导因素 在条栅MOS器件中，TID效应在沟道与STI交界面处产生寄生导电通路，如图1中红线所示，产生寄生漏电流，并且随着剂