微电子器件八噪声特性.pptVIP

第八章 噪声特性;一、信噪比;噪声系数可看作： 单位功率增益下，晶体管噪声功率的放大系数。即晶体管无功率放大作用时，噪声功率增大的倍数， 总输出噪声功率与被放大的信号源噪声功率之比。;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;热噪声等效电路;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.3 p-n结二极管的噪声;§8.3 p-n结二极管的噪声;1. p-n 结二极管的散粒噪声;二极管低频电导：;于是，p-n结二极管总的噪声电流均方值为;§8.4 双极型晶体管的噪声特性;二、散粒噪声与噪声电流;二、散粒噪声与噪声电流;三、晶体管的噪声频谱特性;*噪声系数与工作条件密切相关;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;①栅结势垒区复合中心发射与俘获载流子，引起栅结耗尽层中电荷的 起伏，导致???尽层宽度的变化，调制沟道电导，形成漏极噪声电流 栅结势垒区的产生-复合过程的起伏产生两种噪声： ——通过调制耗尽层宽度形成漏极噪声电流：1/f噪声（缺陷产 生复合中心的产生-复合