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微电子制造技术第 10 章 氧 化 引 言 半导体制造技术的基础之一是在硅片表面生长一层氧化层的能力。50年代最主要的发展就是氧化物的掩膜技术。它是一种在氧化层上通过刻蚀图形，达到对硅衬底进行扩散掺杂的工艺技术。几十年来氧化在硅平面工艺发展中扮演了十分的重要角色。 通过不同的氧化工艺，制造的氧化层具有高质量、稳定和期待的介质特性。这些特性特别是对于MOS工艺中的栅结构来说是至关重要的。 氧化物可以通过淀积和热生长得到。本章主要讨论热生长氧化物，包括它的结构、性质和生长工艺。 学 习 目 标 1.了解半导体制造中SiO2的结构、优缺点及各种用途； 2.描述氧化的化学反应以及在Si上生长氧化物的机理； 3.解释选择性氧化并给出两个实例； 4.识别三种热氧化工艺的设备，讨论快速升温立式炉的优点； 5.解释什么是快速热处理及其用途。 氧化硅的结构与性质 结构 SiO2薄膜的原子结构如下图所示，可以看出，它是由一个硅原子被4个氧原子包围着的四面体单元组成的。 由上图可见，二氧化硅薄膜是一种无定型的玻璃状结构，具体地说是一种近程有序的网状结构，没有长程有序的晶格周期，这是因为四面体单元在晶体内没有以规则的三维形式排列。 性质 优质的绝缘材料，熔点温度：1732℃；热生长的SiO2能够牢固黏附在硅衬底上，并且具有优良的介质特性。硅片表面自然生成的氧化膜厚