磁共振化学位移成像原理.pdfVIP

一80一 《现代医用影像学》2004年4月第13卷第2期 磁共振化学位移成像原理 方佳 昊晓明 宋发亮 新疆石河子大学医学院第一附属医院(832008) 磁共振化学位移成像(MRsl)是利用磁共振现象和化学收峰的强度(峰高)与被测物的含量有关。 位移作用，对特定原子核及其化合物进行分析，无损伤性研 8=岛+(V—Vo)／v0 究活体组织生化代谢的一种新技术。而M】趣结合了姗和 V是生产吸收时的射频频率，Vo是参考物质产生吸收峰 波谱的优点，以波谱曲线的形式表示出MRI上感兴趣区内物 的射频频率，岛是参考物质产生吸收峰的化学位移。 质生化代谢的变化，得到解剖形态与生化改变综合诊断。 对于一个完全裸露的原子核，屏蔽常数为零，对于某一 特定频率的射频，较低的场强，就可令其产生磁共振吸收。 1磁共振现象 对于～个电子云密度较高的原子核，屏蔽常数较大，埘 磁共振现象是磁场中原子核，吸收能量发生核自旋能级 于某一特定频率的射频，较高的场强，才能克服屏蔽令其产 的跃迁。 生磁共振吸收。 对于核自旋量子数I=I／2的原子核，有2个取向(2I+ 在核磁共振吸收图谱中，完全裸露的原子核屏蔽常数为 1)。核磁矩方向与外磁场方向相同的核，磁量子数m=+1／ 零，吸收峰位在最左边，理论上是化学位移的参照标准。实 2，对应低能级；核磁矩方向与外磁场方向相反的核，磁量子 际上用屏蔽常数较大的TMS作参照标准。定义TMS的化学位 数m=一1／2，对应高能级。 移艿=0，在核磁共振吸收图谱的最右边，向左6增大。 能级差AE=hTHo／2n。与磁场强度和核种类有关。当射 2．2化学位移产生原因 频能量E=l弛与能级差△E相等时，产生能级跃迁一磁共振 对于同一种核，由磁共振条件V0=)Ho／2兀可知，吸收频 现象。能产生共振的射频频率Lb=垤b／27r。 率仅与磁场强度有关。任何使实际感受到的磁场强度变化的 因素，都将影响化学位移¨…。 2化学位移 2．2．1电子云密度 2．1核磁共振吸收图谱 在外磁场(心)中，核外电子云是核的屏蔽层，电子云 2．1．1化学位移 密度用屏蔽常数。表示，o越大，屏蔽作用越大，实际感受 化学位移是指由于原子核化学环境的影响，磁共振吸收 到的场强(H)降低，H=HD(1一d)。 的射频频率v偏离标准频率Vo的相对数值。艿=(v一Ⅶ)／Vo诱导效应(InductionEffect)：目标核与高电负性基团相 尽管质子吸收的脉冲频率与外磁场强度成正比例关系， 连，电子云密度下降(去屏蔽)，o下降，产生共振所需磁场 但化学位移8与外磁场强度无关。氢核化学位移艿通常在O— 强度小，吸收峰向低场移动； lO范围取值。 Effect)：分子中的双键一单键一双 共轭