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图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究
第 卷 第 期 液晶与显示
３２ ５
Vol．３２ No．５
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１７ ５ Ma ２０１７
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文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１７０５Ｇ０３６７Ｇ０５
图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究
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康冬茹 叶 芸 汪江胜 吕珊红 辛 琦 郭太良
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福州大学 物理与信息工程学院 福建 福州 ３５０００２
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摘要 为了减小场发射的屏蔽效应 采用图形化技术对氧化锌 ZnO 纳米枝阵列进行调控 并研究图形化 ZnO枝阵列的
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性能 首先采用光刻法在 ITO导电玻璃上制备图形化 ZnO种子层 再用电沉积法在图形化种子层上生长 ZnO纳米枝
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阵列 利用扫描电子显微镜 SEM X射线衍射 XRD研究所制备的图形化 ZnO阵列形貌 结构等 并测试其场发射性
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能 研究结果表明 制备的图形化 ZnO纳米枝是圆阵列 直径为３３０ m左右 纳米 ZnO主干平均直径为４００~５００nm
μ
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发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构 并且具有良好的场发射性能 开启场强为２．１５V m 场增强
μ
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因子为 １６１０９ 该图形化生长 ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法 在场发射应用领域表现
出较好的前景.
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关 键 词 图形化 氧化锌纳米枝 电沉积法 场发射
中图分类号: 文献标识码: : /
O４６２．４ A doi１０．３７８８YJYX０３６７
Fabricationandfieldemission roertiesofatternedZnOarras
p p p y
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