第七节实际晶体中的位错.ppt

突然 汤普森四面体及汤普森记号 a）面心立方晶体中的四面体；b）汤普森四面体；c）汤普森四面体的展开 面心立方晶体滑移与扩展位错 f.c.c点阵的密排面(111)：A为第一层原子位置，B为第二层原子位置。当有切应力作用，B层原子应沿滑移方向110滑移。 但B层原子沿[101]从 B→B，需越过A层原子的“高峰”，需较高能量。 若B层原子先从B→C，再从C→B，（经A层原子间的“低谷”），将比 一步滑移容易。 面心立方晶体滑移 A 扩展位错 扩展位错：一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。 形成：原子沿 的一步滑移，分解成沿 和 的两步滑移。 路径虽曲折，但能量较小。 b1和b2为两个肖克莱不全位错，它们之间为一堆垛层错带。 面心立方晶体中的扩展位错 FCC晶体中扩展位错的结构 (a)示意图 (b)相邻两层(111)面上原子的排列 未滑移 (无层错） 滑移一次 (有层错） 滑移两次 (无层错） 扩展位错的宽度 扩展位错的平衡宽度，实际是两个平行的不全位错中间夹着的层错区的宽度。 决定于两个不全位错间的斥力和层错表面张力间的平衡。b2、b3同号，互相排斥，单位长度排斥力近似为： d—两位错之间的距离。 层错边缘单位长度的张力在数值上与层错能相等，平衡时： d与γ成反比，与G成正比。 γ大的金属，d很小，不易形成扩展位错。 如Al，d约1~2个原子间距，无扩展。 γ小的金属，d甚大，易于形成扩展位错。 如Co，d约35个原子间距。 四、离子晶体和共价晶体中的位错 离子晶体和共价晶体中都有位错。 与金属相比，共价晶体和离子晶体中固有的位错，特别是可动位错少； 金属在变形时可大量增殖位错，而共价晶体和离子晶体由于原子结合力很强，位错运动时点阵阻力大，都导致其变形比金属困难，变形能力小，塑性差，变形抗力大，强度高。 金刚石是最硬的材料。 例题 例题2 第七节 实际晶体中的位错 实际晶体的位错组态： 具有简单立方晶体位错的共性； 还有一些特性。 原因：晶体结构不同。 一、常见金属晶体中的位错 1、全位错和 不全位错 简单立方晶体：柏氏矢量b等于点阵矢量。 实际晶体：位错的柏氏矢量即可等于点阵矢量，还可能小于或大于点阵矢量。 单位位错：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错。 全位错：柏氏矢量为单位点阵矢量或其倍数的位错。 单位位错是全位错的一种。 全位错滑移后：晶体原子排列不变。 不全位错：柏氏矢量不等于单位点阵矢量整数倍的位错。 部分位错：柏氏矢量小于单位点阵矢量的位错。 部分位错也属于不全位错。 不全位错滑移后：原子排列规律发生变化。 柏氏矢量应符合的条件：晶体结构条件和能量条件。 晶体结构条件：柏氏矢量必须连接晶体中原子的平衡位置。 能量条件：柏氏矢量必须使位错处于低能量状态。 从结构条件看：柏氏矢量可取很多。 从能量条件看：柏氏矢量越小越好。 实际晶体中存在的柏氏矢量只限于少数几个最短的点阵矢量。 二、面心立方晶体中的不全位错 1、堆垛层错 用 表示AB、BC、CA的堆垛顺序，用 表示BA、CB、AC的堆垛顺序。 f.c.c点阵：由密排面{111}堆积而成，其原子堆垛顺序为 ABCABC···用符号表示为 h.c.p点阵：由密排面{0001}堆垛而成，顺序为ABABAB···用符号表示为 △ △ △ △ △ ▽ ▽ ▽ ▽ ▽ △ △ △ 密排面的堆垛顺序 a）面心立方结构；b）密排六方结构 ABA ABCA ATOMIC PACKING Packing mode 1 (ABCABC…) 堆垛层错：晶体中某一区域堆垛顺序差错而产生的晶面错排的面缺陷。（简称层错） 抽出型层错：在正常堆垛顺序中抽去了一层原子面。 插入型层错：在正常堆垛顺序中插入了一层原子面。 一个插入型层错，相当于两层抽出型堆垛层错。 面心立方结构的堆垛层错 a）抽出型；b）插入型 密排六方晶体： 只能通过插入一个C层形成层错。 原堆垛顺序：ABABABAB…… 插入后的变堆垛顺序： ABCABAB…… 或ABACBAB …… 。 层错能 层错破坏了晶体的完整性和正常周期性，使电子发生反常的衍射效应，故使能量有些增加，此能量增量称为堆垛层错能。 层错能：产生单位面积层错所需要的能量。 形成层错时，几乎不产生点阵畸变，层错能主要是电子能。一般可用实验方法间接测得。 一些金属的层错能 金属 Co Ag Cu Au Al Ni A不锈钢 层错能 0.02 0.02 0.04 0.06 0.20 0.25 0.013 (J/m2) 金属中出现层错的几率与层错能有关，层错能越低，出现层错的几率越大，层错能