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2007-7-5 模拟集成电路反向设计流程 华中科技大学电子系 模拟电路反向设计流程 版图提取和整理(Reverse from Layout) 从照片提取电路,对照芯片datasheet进行电路分析及模块划分, 进一步细化工作安排及计划. A:项目组长负责照片上各PAD名称标示,模块划分命名和任务分配. B:设计人员根据样品照片进行电路图提取. 注：Hierarchy！ 提图步骤 将各PAD标示在照片上 将所有的电源线(VDD,VSS等)依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示在照片上. 将所有的信号线依次以流水号码L1,L2,…,Lxxx,标示在照片上 分析电阻, 依次以R1,R2,…, Rxx标示在照片上 分析电容, 标示在照片上. 分析MOS管，在电路图上标明原器件W/L.并以4端的Symbol表示 分析BJT管,标示在照片上 若版图太复杂,则将照片区分若干BLOCK,BLOCK暂时命名为Blocka, blockb…… blockx.电路提取依由外至内,由左至右,由上至下之顺序提取,并将提取的电路画在纸上. 电路图输入(Schematic Entry)要求 要求根据电路整理分析后的层次化模块关系,进行线路图输入,作为仿真的基础！ A:电路图输入应分层次:单元级,Block级和Top Level级. B: Block级尽量做到按功能块划分. C:电路图尽量做到规范,清晰,易读. D:设计人员完成电路图输入须填写“电路图完成清单” 电路输入步骤 将誊写在纸上的线路进行电路输入 Save and Check 电路整理 重新进行电路图输入,将相关的Device放在同一(BLOCK), 功能块的名称须有意义化 每一个功能块的I/O信号线名称必须有意义 从照片上量得各电阻、电容的W/L以square方式输入电路图(各电阻值未知). 每个功能块电路图的Input在左边,Output在右边. 电路原理分析及演算(Function Analyze and Adjust) 将电路图打印一份,在打印出的电路图上作电路原理分析及演算 将各功能块的重要电路如OP/Comparator/ Current Mirror/Voltage Reference整理出,作原理分析. 整理出输入端和输出端控制电路,作原理分析. 检查电路连接是否有误. 以上步骤皆能通过原理分析,则代表功能块电路的完整性,若有一步骤无法分析,则须从照片上仔细看相关Device与连线. 电路原理分析及演算(Function Analyze and Adjust) 重新电路输入,将相关的Device放置到相对应的功能块中. 以上步骤皆无误时,再作下面的演算 先推算出各功能块的重要电路如OP/Comparator/Current Mirror/Voltage Reference之MOS管的gm值. 再推算出各功能块的重要电路的电阻/电容值. 将输入端电路中各Device之gm/电阻值/电容值推算出. 将输出端电路中各Device之gm/电阻值/电容值推算出. 电路仿真(Circuits HSPICE） HSPICE仿真阶段计划及各阶段的要求 A.电路中的关键单元必须进行电路性能仿真. B.电特性仿真调用的模型和参数需经确认. C.电特性仿真结果需由项目组长最后确认,由完成此任务的设计人员在检查例会上作介绍. D.电特性仿真完成后必须填写“电特性仿真完成清单”. 本阶段工作完成后应提交： 各模块直至Whole Chip的网表及仿真激励文件； HSPICE仿真报告。 电特性仿真步骤 详读Electrical Design Rule与SPICE Model,了解各电阻/电容型态之工艺参数,如TC1,TC2,单位面积之最大,典型,最小的电阻/电容值 仿真出SPICE Model中各种管子的gm值 将电路中各Device Name以实际Spice Model中名字取代. 将重整后之电路转换成netlist,供HSPICE仿真使用 (Con.) 电特性仿真步骤(Con.) 将Netlist中电阻/电容值以推算值取代 针对工艺参数/电压参数/温度参数作容差分析. 针对仿真结果进行优化,反复修改并联数及电阻/电容绝对值 再针对电阻/电容的工艺参数/电压参数/温度参数作容差分析. 针对仿真结果进行优化,反复修改电阻/电容值及电阻/电容型态,求得电阻/电容值的范围 若以上步骤皆无法达到最优,则其电路结构须作更改,再重复以上步骤. 功耗特性仿真步骤