低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计.pdfVIP

华南理工大学学报(自然科学版) China of VoL36No．9 JournalofSouth University 第36卷第9期 Technology Science 2008 2008年9月 (Natural Edition) September 低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计 蔡敏 舒俊 (华南理工大学电子与信息学院，广东广州510640) 摘要：为了有效降低模拟集成电路的功耗，提高工艺兼容性，文中提出了一种全CMOS结 构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法．该方法基于工作在亚阂值区的MOS管．利用 阻AT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比．仿真结果表明：在 1．0V的电源电压下，输出基准电压为609mV，温度系数为46×10～／K，静态工作电流仅为 1．23肚；在1．0-5．0V的电源电压变化范围内，电压灵敏度为130一／V，低频电源电压抑制 比为74．0dB．由于使用了无寄生双极型晶体管的全cMOs结构，该电路具有良好的cMOS 工艺兼容性． 关键词：基准电压源；功耗；电源电压抑制比；亚阈值 中图分类号：TN432 文献标识码：A 近年来，随着各种便携式电子产品，如手机、笔 记本电脑、数码相机、移动音／视频产品、医疗设备等 的广泛应用和发展，如何降低功耗、延长基于电池供 ㈩ 电产品的使用时间已成为产品设计首要考虑的问题 ，m知(警) 之一．因此，作为集成电路中的关键模块，基准电压 式中：K。、％。和‰分别为MOS管的栅源电压、漏 源必须满足低电压、低功耗和高稳定性的要求．目 源电压和阈值电压；Vr=kT／q为热电压，k为波耳兹 前，有很多电路(如带隙电压源¨日J、基于工作在亚 曼常数，丁为绝对温度，q为电子电荷；n为亚阈值斜 阈值区的CMOS的电压源H。51等)都可以满足这个 率因子；s=W／L为MOS管的沟道宽长比；，肿为特 要求，但带隙电压源需要用到寄生双极型晶体管，其 征电流．通常情况下由于‰4Vr，因此，。可以用 工艺复杂度和成本都比较高． 式(1)右边的近似结果表示． 为此，文中提出了一种结构简单的CMOS基准 对式(1)变形可得 电压源电路，该电路使用由与绝对温度成正比 (PTAT)的电流源和微功耗运算放大器构成的负反 魄(砷一‰+凡等n(去) (2) 馈系统，提高了电源电压抑制比(PSRR)，具有低工 由于MOS管工作在亚阈值区时，ID《，珊S，因此由式 作电压、低功耗的特点，可采用标准CMOS工艺技术 (2)可知魄随温度的升高而减小，即具有负的温度 制造，适用于温度、电源电压波动较大的低电压、低 系数． 功耗应用中． 根据文献[4]中的推