位错的运动 10 11.ppt

第三节 位错受力及其运动 一、作用在位错上的力 1. 虚功原理：外力对晶体滑移所做的功等于位错线受“力”移动所做的功。 2. 关于“力”的说明： 这是一个虚构的力，但源于晶体的内外应力场。 只要存在内外应力场，位错即使静止也受力。 这是一种组态的作用力，并非原子所受的作用力。 3.位错受力的两种形式： （1）滑移力（外力为切应力） 单位长度位错上的力：f=τ× b 与位错的运动方向平行，并垂直于位错线，指向未滑移区。任何位错均可发生滑移运动。 位错受力处处相等，位错只在滑移面上运动，也称滑移力。位错的滑移不改变晶体体积，称保守运动。 （2）攀移力（外力为与b同向的正应力） 单位长度刃位错受力：f=-σ× b 拉应力作用下f为负（负攀移），压应力下f为正（正攀移） 二、位错的滑移:外切应力作用下，位错在滑移面上的运动，导致晶体永久变形。 1.刃位错的滑移： 位错滑移是在切应力作用下，通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地做少量的位移（小于一个原子间距）而逐步实现的。位错运动到哪里，哪里就出现多余半原子面。在切应力作用下，滑移面上方每列原子只移动了b/6，位错就移动了一个原子距离b，多余半原子面也移动了一个原子距离在晶体表面出现一个滑移台阶，这种滑移方式所需要的应力比晶体作整体运动所需的应力要小得多。 纯刃位错的滑移沿位错线的法线方向进行，滑移面由位错线与其柏矢量组成。位错在滑移面上的运动叫滑移。对刃型位错，柏矢量与位错线垂直，滑移面是唯一的。 2. 螺位错的滑移： 柏矢量与位错线平行，在切应力作用下，螺位错的移动方向与柏氏矢量相垂直，也与切应力及晶体滑移的方向相垂直。螺位错具有多个滑移面，在滑移运动时可从一个滑移面到另一个滑移面上去，这一过程称为交滑移。 3. 混合位错的滑移 沿柏氏矢量方向对晶体施加应力，则A、B处为符号相反的刃位错，C、D处为符号相反的螺位错，在相同的外力作用下，各自运动方向相反，故位错环只能收缩或扩展。同样是晶体产生一个b大小的宏观变形。 4. 位错滑移的方向 三、位错的攀移 刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称为攀移。这相当于多余半原子面的伸长或缩短，因而需要原子的迁移。 正攀移：正刃位错原子从多余的半原子面边缘跳入晶格间隙位置，作为间隙原子扩散开来，或者跳入晶体中扩散到附近的空位时，都能使位错向上攀移。 负攀移：反之若间隙原子扩散到位错线上，位错向下攀移。 位错的线张力 线张力：位错线增加一个单位长度时，引起晶体能量的增加，即位错的线张力就等于：单位长度位错的应变能T=W=α Gb2。直线α=1，弯曲α=0.5。 考虑到实际晶体中位错是弯曲的，在远处的应力场可能会有部分抵消，使位错线的线张力小于直位错线，通常用Gb2/2作为位错线张力的估算值。位错线张力在数量上与单位长度的位错能相等，但要注意两者不同的物理意义和不同的量纲。 第四节 在整体中的位错晶体中有大量位错存在，要考虑它们之间的相互作用及作为群体的位错的特性。 一、位错间的交互作用 两平行螺位错的相互作用： 螺位错（ b1 ) 只有纯切应力分量:τθz 位错b2受力为： F = b2 τθz = (Gb1b2 / 2πr) 可见，合力F是一种径向力.当位错同向时，两位错在F的作用下表现为互相排斥。当位错反向时，两位错在F的作用下表现为互相吸引。 2.两平行刃位错间的交互作用 位错b1在点(x，y)处的应力分量为:σxx，τyx，τxy，σyy和σzz。 位错2受滑滑移力Fx及攀移力Fy 　Fy与y同号。当b2在b1上方时，Fy0，b2在b1下方时，Fy0。当位错反向(异号）时，Fx，Fy取负号。 对同号位错（实线） (1)当| x | = | y |，Fx = 0。(2)当x = 0，Fx = 0。(3)当| x | | y |，Fx 0。(4)当| x | | y |，Fx 0。　　可见，x=0和| x | = | y |处，Fx=0，是位错间平衡位置。x=0处是稳定平衡。| x | = | y |是不稳定平衡。 异号位错（虚线） 3.位错与点缺陷的交互作用 假设： （1）点缺陷是球对称的，其应力场也是球对称的正应力场。 （2）将位错的应力场也简化为正应力场，与点缺陷作用。 注：螺位错的应力场为纯切应力场。与点缺陷无交互作用 由于刃位错滑移面上为压应力区，下为拉应力区，可使溶质原子在位错线附近聚集。 柯垂尔气团（Cottrell Atmosphere）：大溶质原子处于正刃位错上方；小原子位于其下方，且稳定存在。则优分布在刃位错周围，并紧靠位错线的点缺陷形成所谓的柯垂尔气团。 柯垂尔气团钉扎位错，降低应变能，增加位错运动阻力，使晶体强