基于MOSFET导通电阻无刷直流电机相电流采样技术探究.docVIP

基于MOSFET导通电阻无刷直流电机相电流采样技术探究 　　摘 要：无刷直流电机矢量控制（FOC）对相电流的采样要求很高，文中利用MOSFET??通时自身的内阻代替传统的精密电阻以实现相电流的采样。在实际应用中，该技术可以节约成本，简化电路，特别在大功率场合，大电流流过精密电阻时会产生很大的额外功率损耗，这使得利用MOSFET导通电阻实现电流采样具有很高的实际应用价值。文章鉴于MOSFET导通电阻受温度、电流变化的影响，通过对温度、电流的实时检测，实现对阻值的补偿控制。最后通过实验验证了基于MOSFET导通电阻相电流采样的精确性，并能够很好地应用于无刷直流电机的矢量控制系统中 关键词：电流采样；无刷直流电机；MOSFET；导通电阻；温度；矢量控制 中图分类号：TP202；TM33 文献标识码：A 文章编号：2095-1302（2017）03-00-04 0 引 言 无刷直流电机相比于感应电机、有刷电机等电机拥有寿命长、维护少，产生的转矩大，同体积能够产生更大输出功率，加减速特性好，电磁干扰小等优点。近年来，无刷直流电机被应用于越来越多的场合。随着电机控制技术的不断进步，矢量控制（FOC）、直接转矩控制（DTC）、智能控制等先进控制方案的提出和深入研究，尤其是矢量控制技术的不断成熟，在许多行业取代传统方波控制已成为趋势 无刷直流电机矢量控制需要通过采集三相电流值来实现算法控制。MOSFET导通时自身存在内阻，导通电阻阻值受温度、电流影响呈规律性变化[1]，工程中完全可以通过适当的补偿完成对导通电阻阻值的实时校正，从而实现对相电流值的准确采样。与传统的三电阻采样相比，利用MOSFET内阻采样电流时完全可以去掉三个采样电阻，优化硬件电路，节约成本；同时避免了电流在功率电阻上产生的功率损耗，该技术更适用于大功率场合。文献[2]提出了大功率场合基于MOSFET导通电阻的电流采样技术，并针对MOSFET多管并联电路分析论证了该技术的实际可行性。但文献中默认MOSFET导通电阻阻值是固定的，未考虑温度、电流对阻值的影响[2]。文献[3]只是笼统提出MOSFET导通电阻随温度变化呈线性变化规律，可以通过相应的补偿控制实现基于MOSFET导通电阻的电流采样[3]，但文献没有分析论证，也没有给出具体的实现方法 本文基于MOSFET导通电阻的电流采样技术，分析了MOSFET导通电阻的阻值受温度、电流影响的变化规律，给出了具体的软件补偿算法和硬件电路。最后搭建了实验平台，测试验证了电流采样的精度，该技术可以很好地应用于电机的矢量控制中 1 MOSFET导通电阻电流采样方案的分析 1.1 MOSFET导通电阻特性的研究分析 MOSFET导通电阻是指导通时漏源电压与漏源电流之比，记RON=VDS/IDS。MOSFET是由加在输入端栅极的电压VGS来控制输出端漏极的电流IDS。同时，MOSFET结温的升高导致载流子迁移率发生变化，进而影响漏源电流IDS，最终改变了导通电阻RON。本文通过搭建图1所示的MOSFET测试电路，进一步测试分析了导通电阻的变化规律。MOSFET以STP80NF70为例 STP80NF70输出特性曲线如图2所示，STP80NF70转移特性曲线如图3所示[4] 由图2可知，VGS越大MOSFET的导通效果越好，导通电阻RON越小。由图3可知，当VGS大于开启电压4 V时，MOSFET开始导通；当VGS达到9 V以上时，MOSFET完全导通，此时导通电阻很小。在MOS管GS两端施加10 V电压，测试不同温度和电流条件下对MOS管导通电阻RON的影响 由图4可以看出导通电阻典型值随电流ID的增加变化幅度相对较小，总体呈近似线性关系；由图5可知，温度变化对RON影响较大，RON值呈正温度系数变化，在最高温度范围内导通电阻值可以达到典型值的2倍（典型值即为温度在25℃情况下导通电阻的阻值） 1.2 MOSFET导通电阻受温度、电流影响的补偿计算 由图4可知，随电流变化导通电阻典型值呈近似线性变化规律。这里对导通电阻典型值随电流变化做线性补偿，具体补偿公式如式（1）所示，补偿系数K1即为图4中两点间斜率的平均值，K1取3×10-3 Rtyp（mΩ）=K1（ID-40）+8.2 （1） 图5中纵坐标单位为典型值，在25℃时纵坐标值为1。可以看出，随温度的变化，导通电阻相对典型值倍数呈线性变化规律。这里对导通电阻随温度变化做线性补偿，具体补偿公式如式（2）所示，补偿系数K2为图5中图形的斜率，K2取7.5×10-3 RON（mΩ）=Rtyp（K2T+0.83） （2） 式中， Rtyp为25℃时对应电流的导通电阻典型值， T（℃）为温度，ID（A）为漏极电流