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* * * 半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics) 主 讲 ： 彭 新 村 信工楼519室 Email: xcpeng@ecit.cn 东华理工机电学院 电子科学与技术 第十章 半导体的光学性质 10.1 半导体的光学常数 10.2 半导体的光吸收 10.3 半导体的光电导 10.1 半导体的光学常数 光在各向同性的半导体中传播时，服从麦克斯韦方程组： ε0——真空介电常数 μ0——真空磁导率 εr——媒质的相对介电常数 σ——媒质的电导率 考虑沿x方向传播的平面电磁波，E在y方向的分量可表示为： E0是振幅，ω是角频率，v是平面波沿x方向的传播速度，结合麦氏方程组可求得： N为媒质的复折射率，c是真空中光速 根据 可求得： 基本的光学常数 光波（电磁波）在媒质中传播——电矢量 同理可得光波（电磁波）在媒质中传播的磁矢量： 光波（电磁波） 在媒质中传播 能流密度： 故： 光在媒质中传播，强度随传播深度的变化 光在媒质中传播，强度的衰减率(吸收率)： 媒质的吸收系数(α)：光在媒质中传播1/α距离时能量减弱到原来能量的1/e——量纲cm-1 与实验结果相符合 可见：吸收系数α与k（也即材料复折射率的虚部）相关， 定义k为媒质的消光系数。当k=0即σ=0时，α=0。α还与入射光的波长λ相关。 导电材料光吸收的简单物理解释：电子从低能态跃迁到高能态产生吸收。 第十章 半导体的光学性质 10.1 半导体的光学常数 10.2 半导体的光吸收 10.3 半导体的光电导 10.2 半导体的光吸收 孤立原子与半导体光吸收特性的区别： 原子中能级不连续，电子的跃迁只能吸收一定能量的光子，出现的是吸收线； 半导体中，能级形成准连续能带，光吸收表现为连续吸收带 半导体中光吸收的分类： 本征吸收（光子能量大于禁带宽度） 激子吸收（光子能量略小于禁带宽度） 自由载流子吸收（带内跃迁） 杂质吸收（杂质能级之间的跃迁） 晶格热振动吸收（长波段，与声子作用） 本征吸收 条件：hv≥Eg Ec Ev hv Eg 本征吸收的光子最低能量限 上面的条件可化为： 本征吸收的长波限λ0 常数：h=6.625×10-34J·s=4.14×10-15eV·s c=2.998×108m/s=2.998×1014μm/s 一、本征吸收的条件及长波限 本征吸收的长波限λ0与禁带宽度的关系 根据： 本征吸收 二、本征吸收的直接跃迁 光吸收的能动量守恒条件： E(k’)- E(k)=光子的能量 hk’- hk=光子的动量 假定半导体中的电子在吸收一个光子后从k态跃迁到k’态。 光子能量很大，动量很小 声子能量较小，动量很大 由于光子动量很小，对于仅仅发生光吸收的跃迁过程，电子在跃迁前后的波失基本不改变。 A B Eg E(k) O’ O 如果价带电子仅仅吸收了一个光子发生跃迁，则图中价带状态A的电子只能跃迁到导带中的状态B，A、B在E(k)曲线上位于同一垂直线上，因而这种跃迁称为直接跃迁。 k 直接带隙半导体能带结构简图（GaAs） 理论计算可得，对于直接带隙半导体(GaAs)，在直接跃迁中，吸收系数与光子能量的关系为： A是与半导体自身性质及温度相关的常数 A B Eg E(k) O’ O k 直接带隙半导体能带结构简图（GaAs） 三、本征吸收的间接跃迁 本征吸收 对于硅、锗半导体，价带顶与导带底不在同一k空间点，称为间接带隙半导体 E(x) O’ O 直接跃迁 间接跃迁 S Eg k 间接带隙半导体能带结构简图（锗） 根据右图，任何直接跃迁所吸收的光子能量都比禁带宽度Eg大，与本征吸收的光子能量限（ hv =Eg）相矛盾 存在另外的一种非直接带间跃迁机制 考虑图中O-S的非直接跃迁，波失变化大（动量变化大），光子动量很小，仅靠光子的参与不能满足动量守恒条件，必须有声子的参与。所以非直接跃迁是电子、光子、声子同时参与的跃迁过程。能量关系为： Ep——声子能量；“+”——吸收声子；“-”——发射声子 由于Ep非常小，可以忽略不计，因此O-S过程的hv≈Eg，符合本征吸收的光子能量限 三、本征吸收的间接跃迁 本征吸收 间接跃迁的动量关系： 略去光子的动量： q——声子波失，“-、+”——发射或吸收一个声子 在非直接跃迁中，伴随发射或吸收适当的声子，电子的波失k可以改变，而发射或吸收声子都是通过电子与晶格振动交换能量实现的，这种除了吸收光子外还与晶格交换能量的非直接跃迁，也称间接跃迁。 间接跃迁的吸收过程，一方面依赖于电子与光子（电磁波）的相互作用，另一方面依赖于电子与晶格（声子）的相互作用，在理论上是一种二级过程。这一过程发生的概率比只取决于电子与光子（电磁波）相互作用的直接跃迁概率小得多。 理论表明