第二章 静电场.ppt

为了求出边界上某点的场量关系，必须令 ?l 足够短，以致于在?l内可以认为场量是均匀的，则上述环量为 式中E1t 和 E2t 分别表示介质①和②中电场强度与边界平行的切向分量。已知静电场中电场强度的环量处处为零，因此由上式得 此式表明，在两种介质形成的边界上，两侧的电场强度的切向分量相等，或者说，电场强度的切向分量是连续的。 对于各向同性的线性介质，得 此式表明，在两种各向同性的线性介质形成的边界上，电位移的切向分量是不连续的。 ?h ?S 为了讨论电位移的法向分量变化规律，在边界上围绕某点作一个圆柱面，其高度为?h，端面为?S。那么根据介质中的高斯定律，得知电位移通过该圆柱面的通量等于圆柱面包围的自由电荷，即 D2 D1 令 ?h ? 0 ，则通过侧面的通量为零，又考虑到 ?S 必须足够小，则上述通量应为 式中D1t 及 D2t 分别代表对应介质中电位移与边界垂直的法线分量。边界法线的方向 en 规定为由介质①指向介质②。 ? 1 ? 2 en 求得 式中 ?s 为边界上存在的表面自由电荷的面密度。考虑到在两种介质形成的边界上通常不可能存在表面自由电荷，因此 此式表明，在两种介质边界上电位移的法向分量相等，或者说，电位移的法向分量是连续的。 对于各向同性的线性介质，得 此式表明，在两种各向同性的线性介质形成的边界上，电场强度的法向分量不连续的。 还可导出边界上束缚电荷与电场强度法向分量的关系为 7. 介质与导体的边界条件 静电平衡：当孤立导体放入静电场中以后，导体中自由电子发生运动，电荷重新分布。由于自由电子逆电场方向反向移动，因此重新分布的电荷产生的二次电场与原电场方向相反，使导体中的合成电场逐渐削弱，一直到导体中的合成电场消失为零，自由电子的运动方才停止，因而电荷分布不再改变，这种状态称为静电平衡。 由此可见，导体中不可能存在静电场，导体内部不可能存在自由电荷的体分布。所以，当导体处于静电平衡时，自由电荷只能分布在导体的表面上。因为导体中不可能存在静电场，因此导体中的电位梯度为零，这就意味着导体中电位不随空间变化。所以，处于静电平衡状态的导体是一个等位体，导体表面是一个等位面。 既然导体中的电场强度为零，导体表面的外侧不可能存在电场强度的切向分量。换言之，电场强度必须垂直于导体的表面，即 介质 E, D 导体 en 导体表面存在的表面自由电荷面密度为 或写为 式中? 为导体周围介质的介电常数。 已知导体表面是一个等位面，因 ，求得表面电位与电荷的关系为 考虑到导体中不存在静电场，因而极化强度为零。求得导体表面束缚电荷面密度为 静电屏蔽：当封闭的导体空腔中没有自由电荷时，即使腔外存在电荷，腔中也不可能存在静电场。这就意味着封闭的导体腔可以屏蔽外部静电场，这种效应称为静电屏蔽。 当然，总电通为零可能是由于闭合面内部没有电荷，因而没有场；或者因为正负电荷相等，但是这是不可能的。因为电荷只可能分布在导体的表面上，若以正负电荷之间任一根电场线和腔壁中任一根曲线组成一条闭合曲线，由于腔壁中没有电场，沿该条闭合曲线的电场强度的环量不可能为零，这就违背了静电场的基本特性。 此外，显然若腔体接地，位于腔中的电荷也不可能对外产生静电场。 ? ? ? ? ? ? ? ? 由于导体内部没有静电场，因此若沿腔壁内部作一个闭合曲面，通过其表面的电通一定为零。 例 已知半径为r1 的导体球携带的正电量为q，该导体球被内半径为 r2 的导体球壳所包围，球与球壳之间填充介质，其介电常数为?1 ，球壳的外半径为 r3 ，球壳的外表面敷有一层介质，该层介质的外半径为r4 ，介电常数为?2 ，外部区域为真空，如左下图示。 试求：①各区域中的电场强度； ②各个表面上的自由电荷 和 束缚电荷。 r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 解 由于结构为球对称，场也是球对称的，应用高斯定理求解十分方便。取球面作为高斯面，由于电场必须垂直于导体表面，因而也垂直于高斯面。 在 r r1及 r2r r3 区域中，因导体中不可能存静电场，所以E = 0。 在 r1r r2 区域中，由 ， 得 r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 同理，在 r3r r4 区域中，求得 在 r r4 区域中，求得 根据 及 ，可以求得各个表面上的自由电荷及束缚电荷面密度分别为 r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 r = r1: r = r4: r =