04无机材料二合成气相固相.pptVIP

化学气相沉积-薄膜制备 非晶态 多晶 单晶 举例：铌酸锂（LiNbO3） 锂的β-二酮化合物 +铌的烷氧化物（Nb2(OEt)10）作为起始反应物，在含O2的Ar气流中分别将Li和Nb的化合物加热到520K、470K，然后一起通过一个加热到720K的反应管，得到LiNbO3固体。 原子层沉积 Atomic Layer Deposition (ALD) 1974 by Dr. Tuomo Suntola and co-workers in Finland 将合成分成两个“半反应” 两种前驱物分段进入反应腔 半反应具有自限性 Page * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ALD- Al2O3 Page * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ALD 优点 组成精确 大面积均匀 厚度精确可控 低温，条件温和，基底无特殊要求 缺点 沉积速度慢 适用范围小 Page * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOCVD： GaN (3.4 eV) Ga(CH3)3? +? NH3 →GaN Page * Japan (Shuji Nakamura, now at UCSB) developed the 1st green, blue, violet white LEDs with GaN semiconductors (epitaxial MOCVD on a sapphire substrate -1993)， the 1st blue-light semiconductor laser (1995) ￥￥￥$$$ Blue, green and white LED technology has continued its large-scale commercial growth resulting in revenues exceeding $3 billion in 2004. White LEDs are responsible for over 50% of the total GaN related LED market. Sales for Blue laser diodes LEDs are expected to reach $4.7 billion by 2007. Industry experts estimate the market for blue lasers in the next generation of DVD and CD players alone will exceed $1 billion. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Shuji Nakamura 1954 年出生于日本爱媛县濑户町，1977 年德岛大学工学院电子工程学士毕业，1979 年德岛大学电子工程硕士学位毕业，同年进入日亚化学(Nichia) 1988 年日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学... 1990年，Nakamura先对GaN生长工艺MOCVD做了改进，提出了双流送气法； 1992年，他用改进的MOCVD去生长p型GaN，通过热退火工艺，消除了氢钝化的影响； 1992年，他成功生长出了高质量InGaN单晶层； 1993年，Nakamura制作出了世界上第一个蓝光GaN的LED； 1995年，为提高发光效率，他基于多量子阱结构，制作了世界上第一个脉冲式的InGaN?LED； 1995年，没过多久，他又制作出了世界上第一个连续光发射的InGaN?LED； 1996年，Nakamura又率先制作了高亮度的白光和绿光LED。 Nichia（日亚化学）前身是生产荧光灯、显示器所用的荧光粉，年收入仅20亿日元（约2000万美元），不到200人的小公司。从1994～2010，日亚获得大约１兆 2,086 亿日元 ( 约合109.87 亿美元 )