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第五章 半导体 Semiconductor;5.0 引言;金钢石结构和面心立方晶体的第一布里渊区示意图; 直接带隙半导体 (a) 和间接带隙半导体 (b) 能带示意图 ;一维情况：;三维情况：;Si中掺P后的共价网络示意图 ;n=1, 2, 3,…;电子从施主能级跃迁至导带底部留下的电离施主; Si中掺B后的共价键网络示意图;空穴从受主能级跃迁至价带留下的电离受主 ;导带上的电子数N(T)为 ;5.4热平衡载流子分布;5.4热平衡载流子分布;5.4热平衡载流子分布;导带上的电子浓度与价带上的空穴浓度必然相等 ;T=0K时，费米能级EF为;由于导带上的电子载流子的浓度是本征激发和施主电离二者共同贡献的，所以可得电中性方程：;5.4热平衡载流子分布;5.4热平衡载流子分布;Si中费米能级与温度和杂质浓度之间的关系;在上述过程中，光照在导带上产生的电子必然同价带上所留下的空穴相等，所以有：;半导体中电子和空穴的定向漂移运动和电流示意图;当温度一定时，在一定的电场强度?下，载流子的定向漂移运动的平 均速度为一常数，且有;半导体的电流密度为;载流子受到两次散射的平均时间间隔为（称为弛豫时间）， 那么，从半经典力学的观点可以得出：;本征吸收的条件是入射光子的能量不小于半导体的禁带宽度，即;在5K温度下InSb的吸收系数与光子能量的关系曲线 ;间接跃迁的能量和动量守恒条件可以表示为： ;Eg;半导体吸收光谱示意图 ;光电器件的光电流为：;两种载流子的霍尔效应示意图;在洛伦兹力的作用下，在垂直于的样品端面上就会形成电荷累积，形成霍尔电场； 电子或空穴受到两个力的作用，一是磁场中的洛伦兹力；一是霍尔电场中的电场力； 达到平衡时，必然是洛伦兹力同电场力相等，所以有：;霍尔角的正切为：;空穴载流子的霍尔系数和霍尔角分别为： ;;霍尔电压，记为VH：;载流子所受的洛伦兹力和霍尔 电场力相平衡时载流子的运动 ;5.7半导体的磁学性质; (a) 长方形样品l/d 1，(b) 长方形样品l/d 1，(c) 科比诺圆盘;5.8半导体界面特性;Depletion Zone;p-n结平衡后，实际上在结区两端建立起了一个势垒，eVD，势垒的大小为：;5.8半导体界面特性;5.8半导体界面特性;p-n结的电流密度可以表示为：;p-n结的光生伏特示意图 ;真空能级;Ws－Wm;金属;能带结构示意图 ; MIS结构示意图 ;VG 0;5.8半导体界面特性;锗、硅半导体材料;b);III-V化合物半导体材料 ;GaAs的能带结构和性质 ;非晶态半导体 ;非晶半导体的能带结构 ;非晶态半导体的导电机制 ;定域态电子跃迁导电机理; a-Si:H非晶Si半导体;a-Si:H的光电性能