多层TiAl电极结构对GaNAlGaN HEMT欧姆接触特性的影响.pdfVIP

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2017-08-20 发布于北京
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多层TiAl电极结构对GaNAlGaN HEMT欧姆接触特性的影响.pdf

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多层TiAl电极结构对GaNAlGaN HEMT欧姆接触特性的影响.pdf

37卷mE期发光学报 V01．37No．2 2016年2月 CHINESE 0F JOURNALLUMINESCENCEFeb．．2016 文章编号：1000-7032{2016}02-0219-05 HEMT 多层Ti／AI电极结构对GaN／AIGaN 欧姆接触特性的影响于宁1，王红航2，刘飞飞1，杜志娟1，王岳华1，宋会会1，朱彦旭h，孙捷1 (1．北京工业大学电控学院光电子技术实验室，北京100124； 2．电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室，广东中山528402) 摘要：研究了多层Ti／A1结构电极对GaN／A1GaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量，采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示，在同样的退火条件下，随着Ti／M层数的增加，比接触电阻率逐渐减小，表面形态趋于光滑；降低Ti／AI层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率，但能稍微改善表面形态；Ti比例过高会影响TiN的形成导致比接触电阻率增加，但能明显改善表面形态。关键词：高电子迁移率晶体管；欧姆接触；退火；比接触电阻率中图分类号：TN386．3文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0219 Ti／AI on Effectof ElectrodeStructureAIGaN／GaN Multilayer HEM旧OhmicContactCharacteristics YU Fei—feil，DU Yue-hual， Nin91，WANGHong-han92，UUZhi-juanl，WANG SONG Hui—huil．ZHUYan—XU”．SUNJiel 100124，China； (1．BeijingOptoelectronicTechnologyLaboratory，BeifingUniversityofTechnology，Beijing 2．State ElectronicThinFilmsand Key of IntegratedDevices，ZhongshanInstitute， Laboratory ElectronicScienceand 528402，China) Univemityof TechnologyofChina，Zhongshan $CorrespondingAuthor，E·mail：zhuyx@蛳n．edu．cn HEMT contact effectof Ti／A1structureelectrodeonA1GaN／GaNOhmic Abstract：Themuhilayer