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完 BaO-TiO2系陶瓷 瓷体密度越高，Q值与εr值越大，TCf值越小。热压的瓷体密度比普通烧结法要高，但热压试样的Q值比烧结试样小得多。这是由于热压试样晶粒尺寸小于普通烧结试样晶粒尺寸的缘故。在Ba2Ti9O20 陶瓷中，为提高Q值必须提高晶粒尺寸，其方法之一是提高热压温度，或是进行热处理。例如，在950℃的氧化气氛中热处理48h，其Q值可提高5%~20%。 Ba2Ti9O20陶瓷的制备： 采用BaCO3和TiO2为原料，1150-1200℃固相反应合成，采用普通烧结法和热压或连续热压法制成。普通烧结法的温度为1350~1400 ℃ ，热压烧结的条件为1250~1290 ℃ ，氧化气氛，压力为18~69MPa。 BaO-TiO2系陶瓷 在BaO-TiO2系中加入适量的ZrO2或其他加入物，可促进烧结，制得密度为5.4g／cm3的陶瓷材料，在7GHz下， εr =37，Q＝8500。Q值高的原因是加入物改善了烧结过程，获得了较高的密度和较大的晶粒，且晶粒分布均匀。另外，提高坯体的成型密度，采用高纯度的原料，也对提高Q值起一定的作用。 有许多的添加剂可增进Ba2Ti9O20相的形成，例如ZrO2、B2O3及SnO2等 * Microstructure of Ba2Ti9O20 bulk sintered at (a) 1350oC; (b) 1300oC. The sample was thermal-etched at 1250oC for 20 min. Commercial microwave ceramics In all cases, through minor compositional changes, the τf can be adjusted to ± a few MK-1. Data for titania and alumina are included for comparison. 制备工艺 Broadly speaking microwave dielectrics are all processed in conventional ways,that is by mixing starting materials, calcining, comminution, pressing and firing.Somtimes hot-pressing is used. DRs have to be made to close dimensional tolerances and this requires diamond machining as a final step. 微波介质陶瓷低温烧结 (1)选择固有烧结温度低的材料。主要包括BiNbO4系、Bi2O3-ZnO-Nb2O5系、ZnO-TiO2系、Li2O-Nb2O5-TiO2系和铅基复合钙钛矿陶瓷Pb(Fe1/3Nb1/3)O3 (PFW)、(Pb1-xCax)(Fe1/2Nb1/2)O3 (PCFN)及Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)系等。虽然这些体系能够在950℃以内烧结，但是由于存在着种种问题，至今尚未实用化。如BiNbO4系陶瓷与金属Ag电极共烧时会发生反应，导致材料的介电性能严重恶化；典型的低温烧结Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷的损耗过大；铅基复合钙钛矿系陶瓷含有铅不利于环境保护等。 * 微波介质陶瓷低温烧结 (2)利用湿化学合成法或选择超细粉原料进行合成 通过采用湿化学方法制备陶瓷粉体，借助细小粉体的高比表面、高活性，可以提高陶瓷合成时的烧结驱动力，从而降低陶瓷材料的烧结温度。 例如，Maclaren等采用水热法成功合成了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3纳米粉体，采用该粉体为起始原料可以获得具有较好介电性能的陶瓷。但是该粉体团聚严重，成型困难，烧结温度并没有显著的降低。Yue等采用溶胶-凝胶法合成了0.25CaTiO3-0.75(Li1/2Nd1/4Sm1/4)TiO3陶瓷，但烧结温度降低有限，仍高达1200℃。 * 微波介质陶瓷低温烧结 (3) 掺入适量的烧结助剂(低熔点的氧化物、化合物或低软化点玻璃)，通过液相烧结或活性液相烧结来降低材料的烧结温度。该技术是实现微波介质陶瓷的低温烧结最常见和最经济的一种方法。目前通过此种方法已经实现了多种微波介质材料的低温烧结。 * * Sintering aids Amount／wt% Ceramics Ts／°C r Q×f／GHz τf／ ×10-6 /°C BaCO3+CuO 2.5 (Zr0.8, Sn0.2)TiO4 1000 35-38 19600 - V2O5+CuO 0.5 BiNbO4 850-930 44 6000 - Fe2O3 0