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VO2 的简介 VO2的制备 VO2的光电特性 VO2的应用前景 VO2改进的方向 ;VO2的简介;V-O 系是一个有多种化学计量比的化合物系统,制备纯净的 VO2 薄膜较困难。 目前 VO2 薄膜的制备方法主要有溅射法、 溶胶-凝胶法、 化学气相沉积法、 脉冲激光沉积法、蒸镀法、热氧化法等,前3 种较常用。;氧化钒薄膜的微观结构研究（2009材料导报）; 图1表明,在Si3N4/Si(100)(a)、Si(100)衬底(b)上生长的氧化钒薄膜具有微弱的VO2(011)取向,但在普通玻璃基片(c)和Al2O3陶瓷基片(d)上生长的氧化钒薄膜没有观察到明显的薄膜衍射峰。 这可能是由于后2种衬底上生长的薄膜确实未结晶,薄膜为非晶态；此外,Al2O3 陶瓷基片自身的基片衍射峰多而强(d)，也有可能会导致薄膜的一些微弱衍射峰被湮没。 由图1可知,80nm厚的氧化钒薄膜在Si3N4/Si(100)衬底和Si(100)衬底上较易结晶。; 由图 2可以看出, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的晶化明显增强。这是因为随着薄膜厚度的增加,薄膜的晶粒尺寸增大, 容易导致薄膜的晶化增强。 从图 2还可以看出, 生长80nm 和1000nm 厚的氧化钒薄膜均呈多晶态, 且薄膜的晶粒为单斜晶系。;由图3可知,不同衬底上沉积的氧化钒薄膜形貌差别较大。 在Si3N4/Si(100)衬底上生长的薄膜晶粒细小,AFM 分析所得粒径尺寸为30nm左右;在Si(100)基片和普通玻璃基片表面生长的氧化钒薄膜具有较大的卵形颗粒, 粒径尺寸为60到70nm;在Al2O3 陶瓷基片上生长的氧化钒薄膜晶粒相对最为粗大。这些差异与基片表面结构的较大差异有关。;从图 4 可以看出, 在Si3N4 / S i(100) 基片、S i(100) 基片、普通玻璃基片上生长的薄膜较Al2O3 陶瓷基片上生长的薄膜平整, 晶粒间界也较小, 这与所采用的 A l2O3 陶瓷基片自身的表面平整性相对较差有关。;纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性（2010光谱学与光谱分析）;利用 XRD 对所制备的混合态氧化钒薄膜进行了晶体结构测试, 如图 2 所示。 从图中可以看出, 新制备的氧化钒薄膜在2θ=44. 500处存在衍射峰, 由标准 XRD 数据卡片可知这一衍射峰是由四方结构 VO2 ( 210) 引起的, 其衍射强度很小, 表明薄膜内 VO2 的结晶性能较差; 对于薄膜内含量较多的V2O5 无衍射峰出现, 认为薄膜内的 V2O5 呈非晶态存在。;热处理后氧化钒薄膜的XRD图谱如图2所示。 从图中可以看出, 4000C热处理后, 在2θ=27.84 0处出现了单斜金红石结构 VO2 的( 011)衍射峰, 并且具有明显的择优取向, 同时, 在 2θ = 37.12 0和 55.66 0处也出现了单斜金红石结构的衍射峰, 分别为(-211) (220) , 这表明 400 0C 的热处理温度使薄膜内 VO2 的晶体结构和成分发生了变化, 由四方结构转变为单斜结构;薄膜的结晶性能变好, 薄膜成分以VO2为主。;热处理后的氧化钒薄膜表面形貌如图 3 所示。 从图中可以看出, 薄膜表面部分颗粒呈长条状, 长度小于100 nm, 宽约 50nm, 部分颗粒长度较短,长宽均为 50 nm 左右, 颗粒排列致密。基于 XRD 和 SEM 测试结果可知, 热处理后获得了纳米多晶 VO2 薄膜。;Control of Optical Performance in Infrared Region for Vanadium Dioxide Films Layered by Amorphous Silicon（Int J Thermophys （2010））; 在近红外时，通过控制厚度和氧化值，可以很好的控制热致变色性，改变透射率。。;a-si没有减少VO2的稳定性，比单个的更紧密，尺寸更小。;实验：钒靶，直流磁控溅射，Ar和O2，样品加热200到250度。Si衬底上缓冲层200到300nm的si3n4.氩气下从400到4750C下退火60min。 ;VO2（B）的衍射强度;VO2（B）纳米结构较好，均匀致密，晶粒颗粒高度50nm，厚度100到250nm;VO2的光电特性;傅里叶变换红外光谱仪( FTIR)对纳米 VO2 薄膜的光学性能进行了测试。 右图为红外波段变温透射率曲线。 从右图中可以看出,室温状态下 VO2 薄膜在 5 ~ 8μm附近透射率最高, 超过60%, 其他波段的光透过率相对较低, 大约为 30% 左右; 在样品由 200C 升温到 50 0C 的过程中, VO2 薄膜的透射率变化很小, 超过50 0C 后, VO2 薄膜的透过率变化率逐渐增大。80