15光电二极管光电池.pptVIP

应用在卫星上的太阳电池受到太空中高能粒子辐射，体内产生缺陷，使电池输出功率逐渐下降，影响其使用寿命。 7．辐照效应 光伏探测器的伏安特性曲线是怎样的?在实际应用中有那两种工作模式?相应的器件叫什么? 光电池两端的开路电压是如何确定的? 描述太阳能电池的四个输出参数? 影响太阳能电池效率的因素? 作业 * 第一类α从零很快上升到α＞104cm －１ ，这发生在直 接带隙半导体材料中，如砷化镓、磷化铟和硫化镉等； 第二类上升缓慢，这发生在间接带隙半导体材料中，如硅、锗、磷化镓、碲化镉和非晶硅等。 图给出某些半导体材料的光吸收曲线 (即光透入深度曲线)。这些曲线的特点是，当入射光子能量低于某种半导体材料的带隙，即hvEg时，其α值小到接近于零； 当hv大于Eg时，α值增加很快。根据α值上升情况，可把半导体材料分为两类： 根据这些材料的吸收曲线，可以发现砷化镓和非晶硅的吸收系数比单晶硅的大得多，透入深度只有1μｍ左右，即几乎全部吸收入射阳光。所以，这两种电池都可以做成薄膜，节省材料 硅太阳电池，缓慢上升的吸收曲线，对太阳光谱中长波长光，要求较厚的硅片(约100—300μm)，才能较充分吸收，而对短波长光，只在入射表面附近lμm区域内已充分吸收了。 在零偏条件下，如用光照射p区或n区，只要照射光的波长满足λ?λc，都会激发出光生电子---空穴对。 光照p区，由于p区的多数载流子是空穴，光照前热平衡空穴浓度本来就比较大，因此光生空穴对p区空穴浓度影响很小。 相反，光生电子对p区的电子浓度影响很大，从p区表面(吸收光能多，光生电子多)向p区内自然形成电子扩散趋势。 如果p区厚度小于电子扩散长度，那么大部分光生电子都能扩散进入P-n结。 2．pn结的光电转换原理 一进入p-n结．就被内电场拉向n区。这样．光生电子一空穴对就被内电场分离开来，空穴留在p区，电子通过扩散流向n区。这时用电压表就能测量出p区正, n区负的开路电压un，称为光生伏特效应。如果用一个理想电流表接通p-n结，则有电流i0通过．称为短路电流。 综上所述， 光照零偏p-n结产生开路电压的效应，称为光伏效应。 这也是光电池的工作原理。 从上面分析可知，光生电压起源于定向光生电流提供的、在势垒两边分别积累的两种光生电荷。 假设势垒区中复合可以忽略，各区电子空穴对产生率为恒定值G的简单情况下，光生电流表达式可写成： IPh ＝qAG(Ln+W+Lp ) 式中q是电子电荷，A为势垒区面积，Ln、Lp是电子和空穴的扩散长度，Ｗ是势垒区宽度。 由上述分析可知，理想pn结太阳电池可以用一恒定电流源Iph (光生电流)及一理想二极管的并联来表示。故理想pn结太阳电池的等效电路如图所示。 考虑实际太阳电池上存在泄漏电阻Rsh和串联电阻Rs，那么，实际等效电路如图示。 二、等效电路、伏安特性及输出特性 l．pn结太阳电池的等效电路 2．理想情况 在理想情况下，pn结太阳电池的Rsh很大，Rs很小，两者影响都可忽略。根据图所示理想等效电路，三股电流应满足如下关系： Iph—IF＋I＝０　　　 其中理想pn结二极管的正向注入电流为： 式中I0是pn结反向饱和电流，q是电子电荷，k是玻耳兹曼常数，T为绝对温度。将式代入得到通过负载的电流： 这就是理想情况下负载电阻上电流与电压的关系，即太阳电池的伏安特性。其曲线如图所示。 从式及其伏安特性曲线上，可以得出描述太阳电池的四个输出参数[1] （1）短路电流Isc，是V=0时的输出电流。在理想情况下，它等于光生电流 Iph （2）开路电压Voc。令式中I=0，则给出开路电压的理想值： （3）填充因子F．F．。第四象曲线上任一工作点上的输出功率等于该点所对应的矩形面积，如图所表明的，其中只有一个特殊工作点(Vmp、Imp)是输出最大功率。填充因子定义是 这个参数是表示最大输出功率点对应的矩形面积，在Voc和Isc所组成的矩形面积中所占的百分比。对于有合适效率的电池，该值应在0．70～0．85范围之内。在理想情况下，填充因子仅是开路电压Voc的函数。令归一化电压 则F．F．的最大值(即理想化的数值)用以下经验公式表达（精确至小数点后四位） 4）太阳电池的光电转换效率η 式中Pin是入射到电池上光总功率。 实际上，太阳电池存在着Rs 和Rsh的影响。根据实际等效电路，可以推导出实际太阳电池的伏安特性： 3