利用HRXRD和UV—Vis反射光谱确定AlGaNGaNA1203的结构与.PDF

第26卷 第3期 材料科学与工程学报 总第113期 ofMaterials V01．26NO．3 Journal ScienceEngineeringJan．2008 文章编号：1673-2812(2008)03—0325—04 利用HRXRD和UV—Vis反射光谱确定 AlGaN／GaN／A1203的结构与成分 季振国1，冯丹丹1，席俊华2，毛启楠2。袁苑2。郝芳1，陈敏梅1 (1．杭州电子科技大学电子信息学院。浙江杭州310018；2．浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江杭州310027) 【摘 要】 结合紫外一可见光谱和高分辨XRD两种测试方法，无损、可靠地确定了AlGaN／GaNHEMT结构 内各层的厚度、成分、应力等参数，解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题。这两种方法的好处是样 品不需经过特殊的处理，也不需进行切割、减薄等工艺，具有快速、无损、准确的特点，可以作为AIGaN／GaN HEMT器件的筛选工具，提高器件的成品率、降低生产成本。 【关键词】x射线衍射；紫外一可见反射；无损检测 中图分类号：047；0484；072文献标识码：A Structureand of Determined AIGaN／GaN Composition HRXRDandUV—VisReflection by JI Dan-danl，XIJun—hua2，MAO Zhen—guo‘，FENG Qi—nan2， YUAN Yuan2，HAO Fan91，CHENMing-meil (1．Instituteofelectronic Dianzi information，HangzhouUniversity，Hangzhou310018，China； forsilicon 310027，China) 2．Statelaboratory key materials，ZhejiangUniversity，Hangzhou HEMT were structures characterizedthecombinationofUV～Vis [Abstract]AIGaN／GaN／A1203 non-destructivelyby and resolutiondiffraction．Fromthis strainintheindividual spectraHigh X-ray combination，thickness．composition，and intheHEMTstructurecanbe determined．Themeritsofthiscombination layers uniquely including toother suchasTEMandSEMwhich be should reliability。andhighefficiency，co