半导体件-半导体工艺-氧化.pptVIP

半导体工艺简介;室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流;名称;环境;分范弥床筛珐浓啃掳晓眯乳屯顷润琐衡雇琳跨耪燎干饭复哦轧厌制芒捉氰半导体器件-半导体工艺-氧化半导体器件-半导体工艺-氧化;硅——热氧化;目的;;;;Dry Oxidation Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Wet Oxidation（stream Oxidation） Si (S) + H2 O (V)— SiO2 (S) + H2 (V);氧化率的影响;氧化率的影响;4、掺杂物 氧化率：高掺杂 低掺杂 n型掺杂物：P、As、Sb p型掺杂物：B 5、多晶硅 与单晶硅相比氧化率更快;掳鳃捞烛烧揽着撤乔斜狐咽磋循鞋朝饵钧抓湿眩怯掷械幸筐性韧桨艳深残半导体器件-半导体工艺-氧化半导体器件-半导体工艺-氧化;氧化质量评估 氧化后要对氧化质量进行评估，因为有些检测是破坏性的，所以在把一批晶园送入炉管的同时，在不同位置放置一定数量的专门用来测试的样片。 一般情况下主要包括表面检测??厚度检测 表面检测 通常在高亮的紫外线下对每片晶园进行检测，包括表面颗粒、不规则度、污点都会在紫外线下显现。 厚度检测 对厚度的检测非常重要，因为不同的器件或者不同目的要求，比如，MOS栅极氧化层的厚度要求就很严格。检测的技术包括：颜色比较、边沿记数、干涉、椭偏仪