P 通道之电压与电流方向.PPT

8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 　 特性曲線 2 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 對於P 通道增強型MOSFET 而言，輸入控制電壓VGS 與輸出電壓VDS 必須加上負電壓，如此才能吸引N 型基體的電洞，聚集於二氣化矽層下形成P 通道。當通道形成後，源極的電洞即可傳導至汲極，形成ID 電流，因此可知，P 通道之電壓與電流方向，皆與N 通道相反，即輸出電流ID 由D 極端流出，輸入電壓VGS 與輸出電壓VDS 為負電壓，其特性曲線與直流等效電路，如圖8-29 所示。 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 例題 8-19 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 　 固定式偏壓電路 1 例題 8-21 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 　 分壓式偏壓電路 2 例題 8-22 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 　 含源極電阻之分壓式偏壓電路 3 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 例題 8-23 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 　 汲極回授式偏壓電路 4 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 例題 8-24 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-4 FET與BJT之功能特性比較 　 開關功能 1 8-4 FET與BJT之功能特性比較 8-4 FET與BJT之功能特性比較 FET在VDS 很小時，因為通道特性如同線性電阻，而且其電阻值可藉由閘極電壓VGS 控制，如圖8-33 所示，所以FET 可當作電壓控制電阻器（Voltage Controlled Resistor, VCR）使用，並常應用於IC 內部電路及自動增益控制（Automatic Gain Control, AGC）電路。 　 電阻功能 2 8-4 FET與BJT之功能特性比較 FET 和BJT 一樣，只要將直流偏壓工作點設計於主動區（FET 稱為夾止飽和區；BJT稱為順向主動區）時，疊加於輸入端的交流信號，經由FET 之輸入輸出Vgs ? Id 特性曲線轉換後，可得到一個放大信號輸出。有關FET 放大電路，將於下一章節討論。 　 放大功能 3 8-4 FET與BJT之功能特性比較 從上面的說明與分析，我們已經很清楚地瞭解到，無論是電晶體（BJT）或場效電晶體（FET），都有放大與受控開關的功能，但是它們之間仍有差異，也各有其優缺點，到目前為止都還無法完全互相取代，這就是為什麼這兩種元件會同時存在的原因。其主要的差異如下： 8-4 FET與BJT之功能特性比較 8-4 FET與BJT之功能特性比較 8-4 FET與BJT之功能特性比較 8.就互導增益gm 而言：BJT 比FET 有較高的互導增益gm 值。 9.就響應速度而言：因為電子的移動速率較電洞快，所以BJT 之NPN 比PNP 快；FET 之N 通道比P 通道快。 10.就頻率響應而言：因為FET有較高的輸入電容量（JFET 為空乏電容量，MOSFET 為閘極與通道間二氧化矽所形成的平行板電容量），所以頻率響應及操作速度較BJT 慢。 8-4 FET與BJT之功能特性比較 11.就線性度而言：BJT的輸入與輸出關係為指數關係，而FET為平方關係，所以BJT在主動區時，其直流工作點上的小信號放大有較好的線性特性。 12.就電流輸出驅動能力而言：BJT 比FET 有較大電流輸出。 13.就偏壓方式而言：BJT 的名種偏壓方式皆同時適用於NPN 與PNP，但E-MOSFET的汲極回授偏壓方式不適用於D-MOSFET與JFET；D-MOSFET 與JFET 的自給偏壓方式不適用於E-MOSFET。 8-4 FET與BJT之功能特性比較 各種FET的工作模式、特性曲線與等效電路之比較整理，如表8-1 所示。 8-4 FET與BJT之功能特性比較 8-4 FET與BJT之功能特性比較 8-2 D-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-2 D-MOSFET之構造特性及直流偏壓 由半導體物理學證明，可得空乏型MOSFET 之夾止飽和區輸出電流公式與JFET 相同為： 8-2