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以单质Si、C原料制备反应烧结碳化硅的研究-武汉理工大学学报
25 4 武 汉 理 工 大 学 学 报 Vol. 25 No.4
2003 4 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Apr. 2003
: 1671-4431(2003) 04-0001-04
*
Si C
武七德 郭兵健 鄢永高 李美娟
( )
: 以C-Si坯体融渗Si 的方法制备反应烧结碳化硅, 研究了坯体中Si 含量对素坯结构、物相组 以及材料性能
的影响。 转化为 时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。 粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手
C SiC Si
段,使SiC 的转化率得以提高。烧结过程研究表明,预掺Si 使部分SiC 的合 反应提前进行,反应发热得以减缓。当调整
3 - 3
坯体中 含量为0.84 / 时,制得了密度与断裂强度分别为3. 09 · 和 550±25 的反应烧结碳化硅材料。
C g cm g cm Pa
: 反应烧结碳化硅; 硅填充剂; 显微结构
: TB 32 : A
SiC ,,SiC,
[ 1,2]
( ) ,
(Reaction Bonded Silicon Carbide RBSC, )( 1 4501 600 )(0.5
1 ),,
h RBSC Si C SiC
,Si CB-SiC A-SiC (Pure Carbon Reaction
[3]
Bonded Silicon Carbide,PCRBSC) , Si
PCRBSC B-SiC Si(C) SiC
, 0.9 / 3[4] ,
C g cm
[5]
,
C
,,20%
C
, - ,
C Si PCRBSC
Si, ,SiC
, C-Si
1
PCRBSC SiC Si(f Si)C(f C) ,
SiC (), , f Sif C ,CSiC
3
C PCRBSC , C0. 96 g/cm C
3 0
SiC ,CQc(g/cm )dPCRBSC
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