半导体概论92第二学期期末考试卷.doc.DOCVIP

註:本次測驗可使用非程式型工程計算器 壹、選擇題 (每題2.5分，共20題，合計50分)(答案請作答於下附答案格中) 1、在半波整流電路中，負載為電阻，其漣波百分率為 (Ａ)121% (Ｂ)141% (Ｃ)70.7% (Ｄ)48% 2、如圖所示為濾波電路輸出波形，其漣波百分率為 (Ａ)17% (Ｂ)6% (Ｃ)5% (Ｄ)8.5%  3、在電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓會 (Ａ)愈大 (Ｂ)愈小 (Ｃ)不一定 (Ｄ)不變 4、理想電壓源的電壓調整率為 (Ａ)0% (Ｂ)10% (Ｃ)50% (Ｄ)75% 5、RC濾波電路除了可降低漣波電壓之外，其直流電壓之大小 (Ａ)不變 (Ｂ)升高 (Ｃ)降低 (Ｄ)不一定 6、將脈動直流電壓轉換成一較平穩的直流電壓的電路稱為 (Ａ)放大電路 (Ｂ)截波電路 (Ｃ)整流電路 (Ｄ)濾波電路 7、濾波電路的輸出電壓波形之漣波因數愈小，表示濾波效果 (Ａ)愈佳 (Ｂ)愈差 (Ｃ)不一定 (Ｄ)無法判別 8、型濾波電路除了可降低漣波電壓之外，其直流電壓之大小 (Ａ)不變 (Ｂ)升高 (Ｃ)降低 (Ｄ)不一定 9、如圖所示電路為 (Ａ)倍壓電路 (Ｂ)整流電路 (Ｃ)截波電路 (Ｄ)濾波電路  10、使用一交直流電表測量一濾波電路的輸出訊號，獲得30 V直流電壓及5 V有效值的交流電壓，則漣波百分率為 (Ａ)16.67% (Ｂ)8.3% (Ｃ)4.8% (Ｄ)9.6% 11、兼具電流放大器與電壓放大器作用的雙極性電晶體放大器為　(A)共基極組態　(B)共射極組態　(C)共集極組態　 (D)射極隨耦器。 12、射極隨耦器(emitter follower)之阻抗特性是　(A)輸出阻抗小，輸入阻抗大　(B)輸出阻抗大，輸入阻抗小　(C)兩者均 大　(D)兩者均小。 13、某電晶體操作在基-射接面為順偏，基-集接面為逆偏情形下，已知iC＝9.5mA及iE＝10mA，iB及(值？　(A)0.5mA， 19 　(B)0.5mA，0.95　(C)19.5mA，19　(D)19.5mA，0.95。 14、電晶體開關ON時，相當於進入　(A)作用區　(B)飽和區　(C)反轉區　(D)截止區。 15、電晶體開關OFF時，相當於進入　(A)飽和區　(B)截止區　(C)線性工作區　(D)崩潰區。 16、雙極性電晶體(BJT)之結構可視為由何種接面組成　(A)基－射接面　(B)集－射接面　(C)集－基接面　(D)基－射接 面及集－基接面。 17、輸入與輸出信號相位相反的是　(A)CE　(B)CB　(C)CC　(D)三者皆是。 18、下列有關電晶體之描述何者錯誤？　(A)BJT之構造是對稱的，因此射極與集極可對調使用　(B)FET優點之一為其輸 入阻抗甚高 (C)BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區 　(D)為使BJT具有線性放大作用，必須偏壓在工作區。 19、下列有關電晶體於不同工作區，基極B、射極E、集極C間之偏壓何者正確？　(A)作用區(active region)：B-E順偏， B-C偏壓　(B)作用區：B-E順偏，B-C逆偏　(C)飽和區(saturation region)：B-E順偏，B-C逆偏　(D)截止區(cutoff region) B-E順偏，B-C順偏。 20、為獲得較大的 β值而設計的BJT，其集極(C)，基極(B)與射極(E)的滲度(doping concentration)情況為下列何者？ 　(A)CBE　(B)BCE (C)BEC　(D)EBC。 答案格: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 (請續翻次頁作答) 貳、計算題 (每題10分，共5題，合計50分) 1、如圖所示為全波整流RC濾波電路，各零件數值如圖中所示，試求(1)負載RL的直流電壓，(2)負載RL的漣波電壓，(3)整個RC濾波電路的漣波百分率，(4)單一電容濾波電路的漣波百分率。 2、何謂漣波因數？試比較半波整流、中間抽頭全波整流和橋式整流的漣波因數。 3、某電容濾波器，濾波電容，供給0.2 A的負載電流，若整流後的峰值電壓為50 V，試求(1)漣波電壓有效值，(2)輸出直流電壓，(3)漣波百分率。 4、.在共射極放大電路中，若基極電流IB=30μA，射極電流IE=1 mA，試求(1)集極電流IC，(2)電流增益β 5、在共射極放大電路中，若電流增益β=99，基極電流IB=100μA ，逆向飽和電流ICBO=2μA，試算(