双载子接面电晶体元件分析.PDF

雙載子接面電晶體元件分析 概 述 為減低功率消耗 ，通常於電子電路中流動之訊號皆相當微弱 ，而這些微弱之訊號往往無法直接驅 動一些周邊設備，因此必須將訊號加以放大 ，使其輸出功率達到足夠運用之程度。 西元 1948 年，貝爾實驗室之科學家們，發現真空管具有將微弱之電子訊號放大的功能 ，但因其體 積過於龐大 ，且功率消耗亦大 ，在使用時會產生大量之熱 ，致使電子設備內部之溫度提高，故效 果尚無法達到實際之需求。 經過多年之研究改良後，第一顆用半導體製作完成之電晶體於 1960 年誕生，此電子元件對訊號放 大之效果不但比真空管佳 ( 可將輸入訊號放大幾千倍 ) ，且其體積和功率消耗亦被大大減小了。 目前電晶體幾乎已完全取代了真空管，除了在高功率和極高頻之應用之外。 目前電晶體大致上可分為兩大類 ： (1) 、雙載子接面電晶體 (Bipolar Junction Transistors; BJTs)：在電晶體內所流通之電流包括由 自由電子和電洞所組成的，基本上 BJT 是一個電流控制之電流源 (Current Control Current Source; ICIS) 。 (2) 、單載子電晶體 (Unipolar Transistors)：在電晶體內所流通之電流僅為自由電子或電洞所組 成的，亦稱為場效電晶體 (Field Effect Transistors; FETs) ，基本上FET 是一個電壓控制之 電流源 (Voltage Control Current Source; VCIS) 。 首先於第四、五與六章討論雙載子電晶體之構造 、操作方式 、偏壓組態 、直流偏壓技術與小訊號 分析 ，接著於第七、八章再討論單載子場效電晶體 。 雙載子電晶體之構造與特性 電晶體是一種三端裝置 ，即它是由三個半導體區所組合而成的，此三個區域分別稱為射極區 (Emitter; E) 、基極區 (Base; B) 和集極區 (Collector; C) 。 依所組合之半導體材料來區分，電晶體共有兩種組態，分別為 npn 電晶體與pnp 電晶體 ，其兩端 較寬之區域為 n 型材料(p 型材料)之半導體，分別為射極與集極 ，中間夾以較窄之p 型材料(n 型 材料)之半導體，稱為基極 ，如下圖所示。 B −E 接面 B −C 接面 射極 (E) n p n 集極 (C) 射極 (E) p n p 集極 (C) 基極 (B) 基極 (B) npn 電晶體 pnp 電晶體 觀察上圖可知，電晶體可視為兩個 pn 接面背對背放置之二極體 ，所以又稱為雙極性接面電晶體 (Bipolar junction transistors; BJTs) 。 雙載子電晶體是由三個不同面積與摻雜濃度之半導體材料所組合而成的，即每一個區域之寬度皆 不相同 ，現就各個區域之特性分別說明如下： (1) 、射極區(E) ：此區域所佔用之面積比集極小 ( 比基極大 ) ，但為三個半導體材料中摻雜濃度 最高之區域，它的工作是發射多數載子進入基極 。 (2) 、集極區(C) ：此區域不需要供應載子 ，所以摻雜濃度為最低 ，由於射極所發射之載子僅小部 份注入基極，大部分之載子會通過基極而流向集極，因此集極所需處理之功率比射極大 ，為 了使其容易散熱之故，此區域之面積是三個區域中最大的。 (3) 、基極區(B) ：此區域主要提供電流調節之用，所佔用之面積為三個區域中面積最小的，而摻 雜濃度介於射極與集極之間 。 由以上之說明可知，雙載子電晶體雜質濃度與構造是完全不對稱的，因此在使用它時，切不可把 射極與集極對調來使用，否則無法使電晶體發揮預期之操作特性 。 未加上偏壓之 npn 電晶體，因射極與集極之摻雜濃度不同 ，而造成此不同寬度之空乏層 ，即E-B 之空乏層寬度比 C-B 窄 ，因射極具有較高密