氮化镓技术助力点到点微波性能的提高 - 微波杂志.PDFVIP

TechnicalFeature 技术特写 氮化镓技术助力点到点微波性能的提高 GaN Powers Microwave Point-to-Point Radios Kristoffer Andersson、David Gustafsson和Jonas Hansryd 爱立信，瑞典哥德堡 砷化镓 （GaAs）一直是微波高性能功率放大器和低噪声接收机放大器的关键技术， 然而近期氮化镓（GaN）技术的成熟为大幅改进系统性能提供了可能。GaN的高介电击穿 特性可以支持更高的漏极电压，以提供更高的功率密度。借助GaN可显著提高微波设备的 射频转化效率和最大输出功率，以降低网络的总拥有成本。如今，基于GaN的单片微波集 成电路（MMIC）正在被逐步引入到商用微波射频单元中。 目前，移动电话的用户数已经与全球人口数 42 GHz ），可用信道带宽最少为几MHz ，而最 相当，而其总数量（包括物联网设备）的 高可高达112MHz。在70/80GHz ，信道带宽大于 增速还在继续加快。高性能微波设备是成功大 1GHz。为了高效地利用可用频谱，新式的微波 规模快速部署移动网络的关键推动力之一。预 系统通常支持高达4096-QAM 的调制格式。图1 计到2020年，65%的无线基站（不包括中国、日 展示了全球各地微波应用所使用的不同频段。 本、中国台湾和韩国）将通过微波设备连接。1 最常用的频段为15至23 GHz 。 微波设备的主要优势是部署快和总拥有 成本(TCO)低。影响TCO 的两个重要参数是功 GaN MMIC技术 耗和系统增益。增加系统增益的好处可以在保 GaN的突出优势包括高输出功率密度和支持 持容量和链路可用性不变的情况下使用更小的 高电压。从功率放大器的角度而言，GaN是一项 天线。TCO通常取决于站点租金，其占总TCO 革命性的技术。与GaAs相比，相同尺寸的晶体 的30%至50%2 。小天线尺寸可减少电信塔的风 管可提高输出功率至少四倍。功率密度越高意 荷，从而降低租金成本，并为其它无线设备留 味着电路的复杂性越低，从而可实现更高的效 出空间。 率和更高的带宽。多家半导体公司现已采用GaN 微波系统中的许多器件都能够改进系统性 MMIC 技术提供高性能的工艺，支持制程小于 能，例如高增益/高效率功率放大器（PA ）、低 150nm，从而使得高于40GHz 的高性能MMIC成 噪声接收机放大器（LNA ），同时纠错码能够 为可能。 再生输入信号并减少干扰因素，如干扰、噪声 图2展示了GaN功率放大器相对于其它半导 和杂散。 体技术的巨大潜力。该图显示了采用3种不同半 微波设备的可用频段范围为6至70/80 GHz ， 导体技术（GaN 、GaAs和 silicon CMOS/SiGe ）