发光学教程3.pdf

第二次课件下载地址 /s/4phl1d 提取密码:4kvtau 元激发和准粒子 晶格振动与声子 晶格振动与声子 晶格振动与声子 等离激元 激子 紧束缚，Frenkel激子：绝缘体，分子晶体 弱束缚，Wannier激子：半导体 发光材料的构成 发光材料的构成主要有以下三种形式： 1.由多晶或单晶形态的基质材料和激活剂（发光中心）组成 ，也可能加入起到能量传递作用的敏化剂； 2.只有基质材料，利用某种本征缺陷做为发光中心； 3.只有基质材料，利用本征激子态或带边电子态产生发光。 发光材料的构成 基质：某种绝缘体或半导体材料 ，形成基本的能带结构。对于激 发能量的吸收起到主要作用。 激活剂：掺杂进入基质的某种 离子或基团，通常是高效的发光 中心，例如稀土离子，过渡族金 属离子等。激活剂可以在基质形 成的能带结构的禁带中形成孤立 的能级系统，通过这些能级产生 发光所需的基态和激发态。 敏化剂：掺杂进入基质的某种 离子，起到能量传递作用。使能 量从吸收处传递到发光中心。 基质的声子能量 声子能量较高的基质:传统氧化物玻璃，石英玻璃 、硅酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃 声子能量相对较低的基质:氟化物玻璃、氯化物 玻璃、碲酸盐玻璃以及锗酸盐 发光材料的要求 发光材料——把某种形式的激发能量转化为发光能。 因此对于一个有效的发光材料应具备如下要求： 1.能够有效地吸收激发能量； 2.能够把吸收的激发能量有效地传递给发光中心； 3.发光中心具有高的辐射跃迁效率。 固体的光吸收 本征吸收； 激子吸收； 晶格振动吸收； 杂质吸收； 自由载流子吸收. 参与光吸收跃迁的电子可涉及四种： ①价电子； ②内壳层电子； ③自由电子； ④杂质或缺陷中的束缚电子， 基础吸收或固有吸收 如果入射光光子能量足够，价带 电子就有可能被激发到导带而形成电 子一空穴对。这样的过程称为本征吸 收。这种受激本征吸收具有较高的吸 收系数，有一连续的吸收谱，并在光 子振荡频率=E /h处有一陡峭的吸收 g 边，在E /h( 即入射光波长 g 1.24/E )的区域内，材料是相当透 g 明的。由于直接带隙与间接带隙跃迁 相比有更高的跃迁速率，因而有更高 的吸收系数或在同样光子能量下在材 料中的光渗透深度较小。与间接带隙 材料相比，直接带隙材料有更陡的吸 收边。 上图比较了几种直接带隙材料(GaAs 、In0.7Ga0.3As0.64P0.36 、 In0.53Ga0.47As)和间接带隙材料(Ge、Si)的光吸收系数和渗透深度与 入射光波长的关系。 发光材料对激发能的吸收 例如，离子晶体的能隙宽度一般为几个电子伏，相当于 紫外光的能量。因此，纯净的理想离子晶体对可见光以 至红外区的光辐射，都不会发生光吸收，都是透明的。 碱金属卤化物晶体对电磁波透明的波长可以由~25 μm到 250nm ，相当于0.05~5ev 的能量。当有足够强的辐射 （如 紫光）照射离子晶体时，价带中的电子就有可能被激发 跨过能隙，进入导带，这样就发生了光吸收。这种与电 子由价带到导带的跃迁相关的光吸收，称作基础吸收或 固有吸收。例如，CaF 的基础吸收带在200nm( 约6ev) 附 2 近，NaCl 的基础吸收约为8ev