预制层衬底加热对Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响.pdfVIP

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2017-08-20 发布于北京
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预制层衬底加热对Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响.pdf

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预制层衬底加热对Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响.pdf

人工晶体学报第45 卷第4 期 Vol. 45 No .4 2016 年4 月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS April.2016 预制层衬底加热对 C~ ZnSnS 薄膜性能的影晌 4 1 l l 2 张俊芝，代福，范东华，郑春来 20;2. (1.五色大学应用物理与材料学院，江门纽约 723仅lO) 陕西理工学院物理与电工程学院. 汉中 fil CZTS) nSn(CZ 摘要:本文采用二步法制备Cuz ZnSn乌( 薄膜，首先通过真空热蒸发制备 CuZ 盯预制层，其衬底加热温汇和 l 20 50 75 预制层在4 ωrrun 度分别为 t: 、 t: 、 ∞t:，然后对所制备的 CZT ∞℃下硫化，从而制备出 CZTS 薄 j XRD SEM αTS 膜。利用 Raman 、反射谱和透射谱对所和备的薄膜进行了表征，实验结果表明，预制层衬底加热、、 CZTS 50 t:时制备预制层硫化后所得温度对薄膜结构与光学特性有很大影响，在衬底加热 CZTS 薄膜具有高的结晶度、致密均