半导体制造工艺基础 施敏 第6章扩散.pptVIP

第6章 扩散 ■ 概述 ■ 扩散工艺 ■ 扩散方程 ■ 扩散分布 ■扩散工艺质量检测 ■ 在lC制造中主要采用扩散法和离子注入法。 ■ 高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子注入法。 一、概述 1、掺杂和扩散 1）掺杂 ( Doping) 用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体 材料中，达到改变材料的电学性质、形成半导体器件结构的 目的，称之为“ 掺杂 。 2）掺杂的方法 合金法、扩散法、离子注入法。 3）常用的掺杂杂质 P (磷)、B(硼)、 As(砷)、Sb(锑) 3）形成场效应晶体管中的漏区和源区 扩散工艺在IC制造中的主要用途： 1）形成硅中的扩散层电阻 2）形成双极型晶体管的基区和发射区 1）扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度； 即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。 2）扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅 衬底中，并使其具有特定的浓度分布。 3）研究杂质在硅中的扩散运动规律的目的： 二、扩散工艺 ■ 开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。 ■ 研究IC制造过程中其他工艺步骤引入的扩散过程 对杂质分布和器件电特性的影响。 (1) 气态源：