南理工光电检测技术课程01 半导体基础教案.ppt

第一章 光电检测技术基础 第一节、光辐射度量与光度量 第二节、半导体物理基础 第三节、光电效应 在漂移运动中，因电子与晶格碰撞发生散射，故每次碰撞后漂移速度降到零。如两次碰撞之间的平均时间为τf ，则经τf 后载流子的平均漂移速度为 迁移率与载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴的迁移率比电子的迁移率小。 由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带而引起的吸收称为本征吸收。 物体受光照射，一部分被物体反射，一部分被物体吸收，其余的光透过物体。半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器件的工作基础。 产生本征吸收的条件：入射光子的能量（hν）至少要等于材料的禁带宽度。即 杂质能级上的电子（或空穴）吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带（空穴跃迁到价带），这种吸收称为杂质吸收。杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。 允许带（导带） 允许带（价带） 允许带（满带） 禁带 禁带 ★导带的底能级表示为Ec（或E-），价带的顶能级表示为Ev （或E+） ，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。 导带 价带 禁带 导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。 绝缘体、半导体、金属的能带图 a) 绝缘体? b) 半导体? c) 金属 ?半导体两端加电压后: ★如果价带中填满了电子而没有空能级，在外电场的作用下，又没有足够的能量跃迁到导带，那么价带中的电子是不导电的。 价带 导带 禁带 (满带) ★如果价带中的电子在外界作用下，能够跃迁到导带中，则价带中留空位，邻近能级上的电子在电场作用下可以跃入这些空位，而在这些电子原来的能级上就出现空位。这样有些电子在原来热运动上迭加定向运动而形成电流。 价带 导带 禁带 ★由于导带中存在大量的空能级，所以在外电场的作用下，导带电子能够得到足够的能量跃迁到空的能级上，形成电流，所以导带电子是可以导电的。 价带 导带 禁带 ?价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是：能给电子提供足够能量的外界作用、电子跃入的能级是空的。 价带 导带 禁带 ??? 单晶——在一块材料中，原子全部作有规则的周期排列。 ??? 多晶——只在很小范围内原子作有规则的排列，形成小晶粒，而晶粒之间有无规则排列的晶粒界隔开。 ??? 现代固体电子与光电子器件大多由半导体材料制备，半导体材料大多为晶体（晶体中原子有序排列，非晶体中原子无序排列）。晶体分为单晶与多晶： ? 完全纯净和结构完整的半导体称为本征半导体。 ★在没有外界作用和绝对零度时，本征半导体的导带中没有电子，价带中没有空穴，它是不导电的。 ★由于半导体的禁带宽度较小，所以在外界作用下，价电子可以激发跃迁到导带中，这样本征半导体的导带中有电子，价带中有空穴，本征半导体就有了导电能力。 ?晶体总是含有缺陷和杂质的，而杂质原子上的能级和晶体其它原子不同，所以它的位置完全可能不在晶体能带的范围之内。 N型半导体 P型半导体 N型半导体 在晶格中掺入某个硅原子被磷原子所替代，五价原子用四个价电子与周围的四价原子形成共价键，而多余一个电子，此多余电子受原子束缚力要比共价键上电子所受束缚力小得多，容易被五价原子释放，游离跃迁到导带上形成自由电子。易释放电子的原子称为施主，施主束缚电子的能量状态称为施主能级ED。 ED位于禁带中，较靠近材料的导带底EC 。 ED与EC间的能量差称为施主电离能。N型半导体由施主控制材料导电性。 P型半导体 晶体中某个硅原子被硼原子所替代，硼原子的三个价电子和周围的硅原子中四个价电子要组成共价键，形成八个电子的稳定结构，尚缺一个电子。于是很容易从硅晶体中获取一个电子形成稳定结构，使硼原子外层多了一个电子变成负离子，而在硅晶体中出现空穴。容易获取电子的原子称为受主。受主获取电子的能量状态称为受主能级EA ，也位于禁带中。在价带顶EV附近， EA与EV间能量差称为受主电离能。P型半导体由受主控制材料导电性。 N型半导体与P型半导体的比较 np≤pp 电子 空穴 受主杂质 P型 nn≥pn 空穴 电子 施主杂质 N型 特性 少数载流子 （少子） 多数载流子 （多子） 所掺杂质 半导体 掺杂对半导体导电性能的影响： ??? 半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。 (a)本征半导体(b)N型半导体(c)P型半导体 l在一定温度