华南师范大学材料科学与工程教程第四章晶体缺陷一.pptVIP

* * 3）混合型位错 在外力?作用下，两部分之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方，这样的位错称为混合位错。如图所示。 位错线上任意一点，经矢量分解后，可分解为刃位错和螺位错分量。晶体中位错线的形状可以是任意的，只是各点的刃型、螺型分量不同而已。 （a）混合位错的形成 混合位错线附近原子滑移透视图 混合位错分解为刃位错和螺位错示意图 * * * * 柏氏矢量是描述位错性质的一个重要物理量，1939年Burgers提出，故称该矢量为“柏格斯矢量”或“柏氏矢量”，用b 表示 2、位错的标征（柏氏矢量） 柏格斯矢量：晶体中有位错存在时，滑移面一侧质点相对于另一侧质点的相对位移或畸变。 性质：大小表征了位错的单位滑移距离，方向与滑移方向一致。 * * 确定伯格斯矢量的步骤 （1）对于给定点的位错，人为规定位错 线的方向，所示。 （2） 用右手螺旋定则确定伯格斯回路方向。 （3）按照所示的规律走回路，最后封闭回路的矢量即要求的伯氏矢量。 简单立方结构中，围绕刃位错的伯格斯回路 * * 确定方法： 首先在原子排列基本正常区域作一个包含位错的回路，也称为柏氏回路，这个回路包含了位错发生的畸变。然后将同样大小的回路置于理想晶体中，回路当然不可能封闭，需要一个额外的矢量连接才能封闭，这个矢量就称为该位错的柏氏(Burgers)矢量。 * * * * 柏氏矢量b的物理意义 1） 表征位错线的性质 据b与位错线的取向关系可确定位错线性质， ? 2）b表征了总畸变的积累 围绕一根位错线的柏氏回路任意扩大或移动，回路中包含的点阵畸变量的总累和不变，因而由这种畸变总量所确定的柏氏矢量也不改变。 3）b表征了位错强度 同一晶体中b大的位错具有严重的点阵畸变，能量高且不稳定。 位错的许多性质，如位错的能量，应力场，位错受力等，都与b有关。 * * 柏氏矢量特征 1）柏氏矢量与回路起点选择无关，也与柏氏回路的具体路径，大小无关 2）几根位错相遇于一点，其方向朝着节点的各位错线的柏氏矢量 b之和等于离开节点之和。如有几根位错线的方向均指向或离开节点，则这些位错线的柏氏矢量之和值为零 * * * * * * 第四章 晶体缺陷（一） * * 一、什么是晶体缺陷 二、点缺陷 三、线缺陷（位错） * * 一、什么是晶体缺陷？ 1、实际晶体材料 单晶体: 一块晶体材料，其内部的晶体位向完全一致时，即整个材料是一个晶体，这块晶体就称之为“单晶体”，实用材料中如半导体集成电路用的单晶硅、专门制造的晶须和其他一些供研究用的材料。 * * 多晶体: 实际应用的工程材料中，哪怕是一块尺寸很小材料，绝大多数包含着许许多多的小晶体，每个小晶体的内部，晶格位向是均匀一致的，而各个小晶体之间，彼此的位向却不相同。称这种由多个小晶体组成的晶体结构称之为“多晶体”。 * * 晶粒：多晶体材料中每个小晶体的外形多为不规则的颗粒状，通常把它们叫做“晶粒”。 晶粒与晶粒之间的分界面叫“晶粒间界”，或简称“晶界”。为了适应两晶粒间不同晶格位向的过渡，在晶界处的原子排列总是不规则的。 伪各向同性：多晶体材料中，尽管每个晶粒内部象单晶体那样呈现各向异性，每个晶粒在空间取向是随机分布，大量晶粒的综合作用，整个材料宏观上不出现各向异性，这个现象称为多晶体的伪各向同性。 晶界： * * 2、晶体缺陷 即使在每个晶粒的内部，也并不完全象晶体学中论述的(理想晶体)那样，原子完全呈现周期性的规则重复的排列。 把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷。 晶体中的缺陷的数量相当大，但因原子的数量很多，在晶体中占有的比例还是很少，材料总体具有晶体的相关性能特点，而缺陷的数量将给材料的性能带来巨大的影响。 * * 如果缺陷数量得到控制，有时对材料是有用的: 比如，纯铁的抗拉强度仅15MPa，但在添加0.4%的碳原子后就变成了钢，即每50个铁原子仅有一个碳原子，其抗拉强度就可提高到几百MPa; 100万个硅原子中仅掺杂2个磷原子，其半导体的电导率就可以提高500万倍 * * 根据缺陷的空间的几何构象分类： 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小，在原子尺寸大小的晶体缺陷。 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的位错Dislocation 面缺陷 在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 * * 缺陷类型 * * 二、点缺陷 1、点缺陷：原