第2章光电探测-22013412.ppt

雪崩光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加 从B点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声增大。 如图中c点以右的区域，也显著增加。最佳的偏压工作区是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。 雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数或雪崩增益M表示，它定义为: 倍增系数M与PN结所加的反向偏压有关。 一般在100～200V。也有的管子工作电压更高。 i为输出电流，i0为倍增前的电流. 雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。 * 线性区 当入射光功率在1nw到几个μw时，倍增电流与入射光具有较好的线性。 当入射光功率过大时，倍增系数反而会降低，从而引起光电流的畸变。 当入射光功率较小时，多采用APD。在入射光功率较大时，采用PIN管更为恰当。 * 应用 雪崩光电二极管在光纤通信、激光测距及光纤传感等光电变换系统中得到了广泛应用。由于具有内增益，大大降低了对前置放大器的要求。但APD管需要上百伏的工作电压．影响了它的推广使用。 APD光电二极管性能 光电倍增管 光电倍增管(PMT--- Photo-multiple tube) 利用外光电效应和二次电子发射效应相结合，把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种真空光电探测器件，极大地提高了检测灵敏度。 放大倍数很高，用于探测微弱信号； 光电特性的线性关系好 ； 工作频率高 ； 性能稳定，使用方便 ； 供电电压高； 玻璃外壳，抗震性差； 价格昂贵，体积大； 一、光电倍增管的结构与原理 ——光窗（Input window ) ——光电阴极(Photo cathode) ——电子光学系统 ——电子倍增系统(Dynodes) ——阳极(Anode) 1、光窗 入射光的通道； 光窗材料决定了PMT光谱特性的短波阈值; PMT光谱特性的长波阈值由什么因素决定? 光窗通常有侧窗和端窗两种类型； 常用窗口材料有：硼硅玻璃、透紫外玻璃、熔融石英、蓝宝石和氟化镁等； 光电阴极材料沉积在入射窗的内侧面,接收入射光,向外发射光电子。 透射型 反射型 光电倍增管主要由光阴极K、倍增极D和阳极A组成。 分类：端窗式（透射式阴极，通过管壳的端面接收入射光） 侧窗式（反射式阴极，通过管壳的侧面接收入射光） 光电倍增管 2、光电阴极 （1）结构——把光电发射体镀在金属或透明材料 （玻璃或石英玻璃）上就制成了光电阴极。 （2）常用材料： Ag-O-Cs：近红外唯一具有使用价值的阴极材料； CsSb：可见、紫外区有较高的响应率; 3、电子光学系统 ——是指光电阴极至第一倍增极之间的区域。 电子光学系统在结构上主要由聚焦电极和偏转电极组成 电子光学系统的主要作用： （1）使光电阴极发射的光电子尽可能多的会聚到第一倍增极的有效区域内；而将其它部分的杂散热电子散射掉，提高信噪比。 （2）光电阴极各部分发射的光电子到达第一倍增极所经历的时间尽可能一致，保证PMT的快速响应。 倍增系统：是指由各倍增极构成的综合系统，各倍增极都是由二次电子发射体构成。 二次电子发射效应 当有足够动能的电子轰击某种材料时,材料表面发射新的电子的现象。称入射电子为一次电子,从材料表面发射的电子为二次电子。用该材料的二次发射系数?表征材料发射电子的能力： 4、电子倍增系统 二次电子发射的过程： 材料吸收一次电子的能量，激发体内电子到高能态（二次电子）； 体内二次电子中初速度指向表面的那一部分向表面运动； 到达界面的二次电子中能量大于表面势垒的电子发射到真空中，成为二次电子。 要求：二次电子发射系数要大 光电倍增极材料 要求：耐撞击、稳定性好、使用温度高等 锑化铯：具有高的倍增系数，但使用温度不超过60℃，在倍增电流较大时，倍增系数显著下降。 银镁合金：倍增系数高，稳定性好，使用温度不超过150℃，可用于电流较大的倍增管中。 铜铍合金和负电子亲和势倍增材料：