第六章 CMOS传输门.pdfVIP

第六章CMOS传输门 6.4.1 CMOS传输门的结构及符号 • 结构 常用符号 • Vin=0 ，Vout=0 • Vin=1 ，Vout=1 • 控制N=1，P=0——开 • N=0，P=1——关 • 进出都为理想的0和1，强强传输（正宗） • 优点：电阻小，电流大，速度快 6.4.2 工作原理分析 • 1、单管传输： • N沟输入Vdd ：弱1传输，强0传输（不正宗） • 所以VoutVdd • P沟输入0 V ：强1传输，弱0传输（不正宗） • 所以Vout0 V 一、单管传输门 • 1、N沟传高电平 • 工作状态初值：Vgs=Vdd ，Vds=Vdd 2、MOS管何时不传输？ • 随着传输的进行，Vout增大，而Vds （Vgs ） 减小，同时Ids也减小 • 当VgsVt （阈值电压）时，不存在导电沟道， 晶体管被关掉，Ids=0 3、N沟传输高电平 • 当VgsVt时，晶体管停止工作，Vout达到终 值V=Vdd-Vt • 因为Vds=Vt ，Vds=Vd-Vs=Vdd- （Vdd-Vt ）=Vt • 所以Vout=Vdd-Vt ，称此1电平为“弱1” • 所以N沟传输“1”电平是不理想的 4 、N沟传输低电平 工作原理 • Vout初值=Vdd-Vt • Vgs=Vg-Vs=Vdd-0Vt （始终导通） • 放电过程，Vds逐渐减小 • 当Ids=0时，停止传输 • A 、饱和区放电电流大 • B、非饱和区放电电流小 • 所以，当N沟传零电平时， • 当Ids=0时，传输终值Vout=0 V （称强零） • “强”是指达标称值电平（Vdd或地电平0 ） P沟传输门 • 同理可得，分析P沟传输： • 传输“1”时，Vout=1=Vdd （强1） • Vgs=Vg-Vs=0-Vdd=|-Vdd||-Vtp| （恒定值） • 传输“0 ”时，Vout ！=0 V （弱0 ） 6.4.3 CMOS传输门 CMOS传输门工作原理 • N沟传输“强1”，P沟传输“强0 ” • 高电平是电源电平Vdd ，低电平是接地电平 0，都是标称值。 • Rcmos=Rop//Ron • CMOS传输门优点： • 1、标称值为强值 • 2、电流达到初始2倍，低阻 • 3、速度比单管速度提高1.8倍 6.4.4 CMOS传输应用举例 • D触发器（锁存器）电路结构： 工作原理 • 传输时： • 输入门开—— “信息采集” • 反馈门关 • 保持时： • 输入门关——停止采集信息 • 反馈门开 6.5 BiCMOS （双极-CMOS 电路） 6.5.1 双极与MOS对比 • 1、双极属电流控器件，MOS属于压控器件 • 2、双极工作速度比MOS快（器件寄生电容 和电流增益不同） • 3、CMOS 的功耗远比双极小（绝缘栅，无 电阻负载） • 4 、MOS IC总比双极集成度高（无需自隔离 ，可用有源电阻） • 5、CMOS是MOS电路特性最好的，功耗及 抗干扰远比双极好。 6.5.2 BiCMOS反相器 1、电路结构 • 增加：T1 、T2 、R1、R2 • 要求： • T1 ，T2不增加功耗 • T1 ，T2加速MOS工作 • 工作： • 静态时，T1 ，T2