第三十三讲“短的”金属-氧化物-半导体场效应晶体管（续）.PDFVIP

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo - - 第三十三讲 “短的”金属 氧化物 半导体场效应晶体管 续） 11月22 ，2002 内容： 1. MOSFET按比例缩小 续） 2. MOSFET设计的发展 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  按比例缩小是如何发生的?  MOSFET按比例缩小有什么基本限制吗?  按比例缩小还会走多远？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 按比例缩小 续） I 按 比例缩小的 目的：对一给定的数 目，从每代器件提取的最大的性能 最大的 on ）：  短沟效应 DIB ），以及  关态 电流 L ( ), W( ), x ( ),N ( ),x ( ),和V ( ) 为了保持完整的静 电特性，按 比例缩小以协调的方式发展： ox A j DD 。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要折衷方法的说明： I I  on vs off 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  I on vs DIB 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 按比例缩小的限制 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 芯片进步