薄膜体声波谐振器（FBAR）谐振特性的模拟分析.PDFVIP

第19卷 第5期 传 感 技 术 学 报 v01．19 No．5 2006年 10月 CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS 0ct．2006 SimulationandAnalysisoftheResonantPropertiesofFBARs TANGLiang ，HAOZhen—hong。QIAODong—hai (MEMSlaboratoryoftheInstituteofAcoustics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100080，China) Abstract：Theinputimpedanceformulaoffilm bulkacousticresonators(FBARs)withacousticattenuation iSderivedfrom theMasonequivalentcircuitmode1．W iththisformula．theresonantpropertiesofFBARs aresimulatedandanalyzed．Theinfluenceofdifferentmaterialsand【thicknessofpiezoelectriclayerande— lectrodesontheresonantpropertiesisinvestigated．Theresultsindicatethattheresonantfrequencyis mainlydeterminedbythepiezoelectricmaterialandthickness，butelectrodesalsoplayimportantroles．For FBARsover5GHz，itissuggestedtouseA1N insteadofZnO forpiezoelectriclayer． Keywords：film bulkacousticresonator(FBAR)；Masonequivalentcircuitmodel；microwaveoscillator；du— plexer；RF-MEMS EEACC：2860C 薄膜体声波谐振器 (FBAR)谐振特性的模拟分析 汤 亮 ，郝震宏，乔东海 (中国科学院声学研究所微机电实验室，北京 100080) 摘 要 ：主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导，并利用该结果对 薄膜体声波谐振器的谐振特性进行 了模拟分析，分别就不同压电层材料和厚度 以及不 同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振 器谐振特性的影响进行了详细分析．结果表明，薄膜体声波谐振器谐振频率主要 由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很 大的．在制作高频FBAR器件 (5GHz以上)时，采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适． 关键词 ：薄膜体声波谐振器(FBAR)；Mason等效电路模型；微波振荡器；双工器；射频微机电系统 中图分类号：TNO15；TN454；TlI552 文献标识码：A 文章编号：1OO4—1699(2OO6)O5-1911-O6 快速发展的无线通讯技术 (如移动通讯、无线传 的插指电极非常困难；三是声表面波滤波器用到的 感网络)和雷达技术需要越来越多的高性能集成微 压电晶体和 ⅡC电路制作工艺不兼容，很难实现与后 波振荡器和双工滤波器，它们分别被用于信号源和 续电路的单片集成．而用集成的LC振荡回路构成 射频前端的收发器中．目前被广泛用于蜂窝电话和 振荡器，其问题在于 Q值 比较低，相位噪声也比较 电视中的声表面波滤波器遇到了如下三个方面的困 差，只能用于对性能要求不高 的系统 中．基于 难，一是其功率承受能力的限制，即声表面波滤波器 MEMS技术的薄膜体声波谐振器 (FBAR)具有 Q 不能承受很大的微波功率，这在射频发射端是一个 值高、尺寸小以及加工工艺可与CMOS工艺兼容的 很大的缺陷；二是其工作频率受限制在 lGHz左