薄膜体声波谐振器的伽马辐照敏感机理分析.PDFVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 29 7 Vol.29 No.7 年 月 , 2017 7 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul. 2017 薄膜体声波谐振器的伽马辐照敏感机理分析* , 13 2 1 3 王宇航 , 高 杨 , 韩 宾 , 吕军光 ( , ; , ; 1.西南科技大学 信息工程学院 四川 绵阳 621010 2.中国工程物理研究院 电子工程研究所 四川 绵阳 621999 , , ) 3.中国科学院 高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049 : ( ) , 摘 要 实验证明薄膜体声波谐振器 用于检测伽马辐照是可行的 但未对敏感机理进行深入研 FBAR 。 , , 究 针对这一问题 根据两种不同的FBAR结构 提出了不同机理来解释 FBAR在伽马辐照下谐振频率偏移 。 ( ), , 的原因 其中结构一 为四层叠层结构 金属层 压电层 氧化层 金属层 伽马辐照之后 会在辐照敏感 FBAR - - - ( ) , , ; 层 氧化层 形成一个电压 相当于给压电层施加了一个直流电压 从而使谐振频率发生偏移 结构二与结构一 , , 不同的是 结构二 FBAR在氧化层和压电层之间有一半导体层 辐照之后在氧化层中形成的电压改变了半导 , , 。 , 体的表面势 使半导体空间电荷层电容发生改变 从而改变谐振频率 通过仿真得到两种不同机理的结果 并 , , 与相关文献的测试结果对比 发现频率偏移的趋势和频率偏移量的数量级是相同的 因此提出来的两种机理是 可行的。 : ; ; ; 关键词 薄膜体声波谐振器 伽马辐照 频率偏移 空间电荷层电容 中图分类号: ; 文献标志码: : / TN65 TL818.4 A doi10.11884HPLPB201729.170007