2004学年第一学期电子线路期中试卷.DOC

阶段检测4 班级_____ 学号____ 姓名_________ 成绩_______ 一、填空题（共12小题，25小空，每空1分，计25分）1、电子设备中常用的电阻器、电容器、变压器和开关等称为_____________，二极管、三极管称为______________。2、PN结具有__________性能，即加__________电压时PN结导通，加__________电压时PN结截止。3、晶体二极管因所加__________电压过大而__________，并且出现__________的现象，称为热击穿。4、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做__________，另一个叫做__________。5、晶体管的三种工作状态是__________、__________、__________。6、放大器的静态是指__________时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用________方法分析确定，也可用_________方法分析确定。7、当晶体二极管导通后，硅二极管的正向压降为_____V，锗二极管的正向压降为_____V。 8、若晶体三极管集电极输出电流Ic=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则其输入电流IB=________。 9、对一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要________些，以减轻信号源的负担，输出电阻要________些，增大带动负载的能力。 10、三极管起放大作用的外部条件是____________、_____________。 11、某放大器由三级组成，每级的电压增益为15dB，则放大器的总增益是_________。 12、某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位Vc=VG，则该放大器的三极管处于__________工作状态。 二、是非题（共10小题，每小题1分，计10分）（　　 ）1、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（　　 ）2、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（　　 ）3、为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。（　　 ）4、晶体管的发射区和集电区是由同一类型半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。（　　 ）5、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小。（　　 ）6、已知某三极管的发射极电流IE =1.36mA，集电极电流IC =1.33mA，则基极电流IB =30μA。（　　 ）7、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（　　 ）8、晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流ICQ选得偏低。（　　 ）9、共发射极放大器的输出电流信号和输入电流信号反相。 （ ）10、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄。三、选择题（共11小题，每小题2分，计22分）1、晶体二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于（　　 ）A、零偏　　　　B、反偏　　　　C、正偏2、用万用表欧姆档测小功率晶体管性能好坏时，应把欧姆档拨到（　　 ）A、R×100Ω或R×1KΩ档　　B、R×1Ω档　　 C、R×10KΩ档3、当硅晶体二极管加上0.3V的正向电压时，该晶体二极管相当于（　　 ）A、小阻值电阻　　B、阻值很大的电阻　　C、内部短路4、晶体三极管的发射结正偏，集电结正偏时，则晶体三极管所处的状态是（　　 ）A、放大状态　　B、饱和状态　　　　C、截止状态5、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（　　 ）A、随IB增加而增加　　B、随IB增加而减小　　C、与IB无关6、在三极管放大电路中，三极管电极最高电位的一端是（　　 ）A、NPN管的发射极　　B、PNP管的发射极　　C、PNP管的集电极7、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（　　 ）A、同相位　　　　B、相位差90°　　C、相位差180°8、NPN三极管放大器中，若三极管的基极与发射极短路，则（　　 ）A、三极管集电结将正偏　　B、三极管处于截止状态　　 C、三极管将深度饱和 9、NPN型三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（???? ）。 A、发射极为反向偏置? B、集电极为正向偏置? C、始终工作在放大区 10、NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（???? ）。?? A、基极电流不变?? B、集电极对发射极电压VCE下降? C、集电极对发射极电压VCE上升 11、某三级放大器中，每级电压放大倍数为AV，则总的电压放大倍数为（???? ）。 A、3AV??????????? B、AV3??????????????? C、A