第十四章化学清洗.pptVIP

化学清洗 14.1沾污对器件的影响 在半导体器件制造工艺中，几乎半数以上的操作是各个工序之间的清洗。清洗工序是决定器件稳定性、可靠性及成品率的关键。 清洗的目的是去除器件制造过程中偶然引入的“表面沾污”杂质，这些沾污来自硅片加工过程（如切、磨、抛及传递操作）；也来自清洗所用的化学试剂和水；以及工艺过程中 * * 所用的器皿、管路、气体等。它们可能是颗粒，也可能是杂质膜，或以物理吸附，或以化学吸附粘在硅片表面上。在高温工艺中，它们将由表面扩散到硅片里面，从而影响器件的电学性能：（1）造成PN结反向漏电流增加（例如由于表面沾污离子的直接导电或进入硅片内部的杂质造成PN结不平整而引起漏电流）； （2）造成PN结局部击穿或低击穿（例如，由于Au、Cu、Cr、Fe等杂质聚集于硅片中的堆垛缺陷附近或分凝于螺旋位错上，均会导致局部击穿）； （3）使MOS器件阈值电压改变（例如在P-MOS的SiO2-Si界面上，有Na+，其阈值电压就会改变）。 另外，表面沾污也会影响制造工艺的正常进行，如硅片表面的颗粒或杂质影响光刻胶的粘附，损坏光掩膜版，从而影响光刻质量；它们还会影响有目的的掺杂。这种表面沾污的杂质是不可控制的，因此，在每步制造工艺进行前，必须通过清洗将表面沾污除去。 14.2硅片的清洗 14.2.1清洁表面的概念 绝对清洁的表面只能在高真空中获得，而通常器件制造环境中，硅片表面必然由单层或多层原子或化合物所覆盖。但只要该覆盖层满足下列条件，则可认为该表面是清洁的 （1）原子或分子是均匀的； （2）可挥发； （3）对氧化、扩散等工艺无影响； （4）对器件的电学参数无干扰 14.2.2清洗的分类 1、按工艺要求分类 （1）原始片的清洗。即在切、磨、抛之后，一次氧化之前的硅片准备，主要是去颗粒和大量的有机沾污。 （2）为氧化、扩散、CVD淀积以及金属化等工艺作硅片准备，以除去有机及无机膜沾污为主。 （3）为光刻甩胶作准备，以去除颗粒为主。 （4）刻蚀工序后的去胶清洗。 2.按清洗方法分类 （1）物理清洗 刷、擦、高压水冲洗、超声清洗等。主要是去除颗粒和静电物理吸附的杂质。以高纯去离子水为主要的清洗媒介，也有添加表面活性剂，或以有机溶剂清洗的。 （2）化学清洗 以酸性或碱性的氧化性、络合性溶液使硅片表面沾污杂质（例如有机物或金属离子膜、原子膜）氧化或络合，变成可溶于水，然后再以大量的高纯去离子水将其冲掉。 3.按清洗方式分类 （1）浸泡 将成批硅片浸于配好清洗液的酸或碱的清洗槽中，辅之加热、搅拌，增加清洗速度与提高清洗效率。 （2）离心旋转喷洗 批量或单片进行离心旋转喷洗。 14.2.3硅片表面沾污及清洗方法 沾污种类 1.颗粒 ⑴硅渣 来源：切割、划片、镊子拿取、破碎 清洗方法：物理清洗或HF漂洗 ⑵无机砂 来源：磨料、空气尘埃、水及试剂中的沙或土 清洗方法：物理漂洗 ⑶无机渣 来源：棉花、绒毛、皮肤屑、头发、细菌等 清洗方法：物理清洗、络合化学清洗或等离子氧化 2.无机膜（分子膜） 来源：光刻显影残留膜、有机溶剂残渣、人造 石蜡、人体带来的脂肪酸 清除方法：沾污为静电吸附时用物理清洗、沾 污为高极性分子吸附时用化学清洗或等离子氧 化 3.无机离子膜 来源：化学试剂或水中的Na+、K+、Ca++、 Fe+++、AL+++、Ni++等 清洗方法：化学清洗 4.无机原子膜 来源：清洗液及腐蚀液中不如硅活泼的金属离 子还原成原子如银、铜、铁、镍等沉积于硅表 面 清除方法：化学清洗 14.2.4清洗步骤 1、清洗液 1号清洗液（SC-1） 配方：NH4OH:H2O2:H2O=1：1：5到1：2：7 使用条件：75-85℃，存放时间为10到20分 特性：碱性、氧化性、络合性 清洗效果：除去有机沾污、光刻胶残留膜、重金属杂质 Au、Ag、Cu、Co、Ni等 注意事项：若H2O2浓度不够则氨水会腐蚀片子，造成 花斑，用时现配 2号清洗液（SC-2） 配方：HCL:H2O2:H2O=1：1：6到1：2：8 使用条件：75-85℃，存放时间为10到20分 特性：酸性、氧化性、络合性、溶解性 清洗效果：除去Na+、 Fe+++、S及重金属杂质Au、 Ag、Cu、Co、Hg、Cd、Pt 注意事项：对金属有腐蚀性。洗毕有CL-残留， 用时现配 3号清洗液 配方：浓H2SO4:H2O2=5:1 使用条件：室温或90-180℃浸洗 特性：酸性、氧化性 清洗效果：除去有机沾污、光刻胶、酸性可溶 杂质 注意事项：强腐蚀性，混合时生热、气泡，洗 毕有微量硫 4号清洗液 配方：HCL:H2O=3：1 使用条件：室温 特性：酸性 清洗效果：酸性可溶杂质 注意事项：洗毕有微量CL- 10%HF 配方：浓HF：H2O=1：10 使用条件：室温，存放