超声波对TaSiOSi基板置换活化法化学镀铜的影响.pdf

第39卷 第8期 稀有金属材料与工程 、，01．39．No．8 RAREME眦MATERIALSAND 2010盆 8月 ENGINEERING 2010 August 超声波对Ta／Si02／Si基板置换活化法 化学镀铜的影响 刘殿龙1，杨志刚1，王静2，张弛1 (1．清华大学，北京100084) (2．中国矿业大学，北京100083) 摘 形貌和结构的影响。结果表明，在化学镀Cu过程中没有引入超声波时，随着活化时间由30s增加到150s，Cu膜覆盖 率逐渐降低；在引入超声波以后，随着活化时间的增加，Cu膜覆盖率始终很高。XRD分析表明，引入超声波以后，Cu(111) 和(200)峰的衍射强度明显增加，当活化时间为60 的Ta／Si02／Si基板进行化学镀Cu的结果表明，引入超声波，可以明显改善对沟槽的填充效果。 关键词：超声波：置换活化：化学镀：覆盖率 中图法分类号：TQl53．1+4 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2010)08．1454．06 由于金属铜具有高电导率及优良的抗电迁移性能 膜。然而，在活化溶液组成不变的条件下，对于通过 等优点，因而成为超大规模集成电路应用中极具优势 改进工艺获得良好化学镀Cu膜的研究却少有报道。 的候选互连材料【1’2】。铜膜的沉积方法很多，包括物理 基板进行活化，然后在基板上进行化学镀铜膜。通过 气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电镀、化学镀 等方法p。6】。物理气相沉积法虽然能够精确控制Cu膜成 在化学镀Cu过程中适当引入超声波，以改善化学镀 分，但是在亚微米尺度的沟槽填充上覆盖率较差[21。 Cu膜的质量。 Yosi Shacham．Diamand等【4J认为，化学气相沉积法和 1 实 验 化学镀法是最有前途的铜膜沉积方法。因为这两种方 法都能获得高质量的铜膜，而且阶梯覆盖率高，对亚 微米尺度的沟槽填充效果好。然而，化学气相沉积法 am的Si02层是用热生长法在6英寸(152．4 往往需要高温实验条件【『71，而化学镀法不但能够在低 晶片上制备而成，厚度为50nm的Ta层是通过化学气 温条件下实现铜膜沉积，而且操作简单，成本低廉[8】。 相沉积法在Si02层上沉积而成。 在化学镀Cu过程中，往往需要对基板首先进行活 化处理。传统的方法是采用SnCl2和PdCl2的混合溶液 进行活化，但是用该法获得的铜膜和基板之间的结合 和去离子水的超声清洗，清洗时间为各5rain。 力很差【9】。近几年来，发展了一种以PdCl2／BOE／HN03将基板浸入活化溶液中(溶液组成见表1)进行活 溶液或PdCl2／HF／HN03溶液为主的“置换活化法”，用化，活化过程中不引入超声波。在活化步骤结束以后， 于对Ta、TaN、WN等阻挡层进行化学处理[10,11】。将基板浸入去离子水中漂洗，清除基板表面残余的活 OxideEtch Hsu等…】用PdCl2／Buffered化液。然后将基板置于化学镀Cu溶液(溶液组成见表 Hong．Hui (BOE)／HN03溶液对Ta／Si02／Si基板进行活化处理，研 究了活化溶液中不同BOE／HN03比的条件下化学镀度为65℃。 Cu膜的表面覆盖率及粗糙度。结果表明，选择合适 为了研究活化时间以及超声波对化学镀Cu薄膜 BOE／HN03比的活化溶液，会获得良好的化学镀Cu