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载板制程封装介绍
蘇州群策科技公司 Flip Chip Key Technologies Flip Chip Bumping Technology Flip Chip Assembly Bumping Technology HDI / Build-up Substrate ＊ Flip Chip 是一個技術， 不是一個 Package Technology vs. Package Flip Chip is an interconnect technology, not a specific package type FC CSP FC MLF FC PBGA FC LBGA Super FC Stacked fcCSP 主要覆晶封裝生產地區優劣比較 Source : 2006.02.13電子時報 Source : 2006.02.13電子時報 全球覆晶基板供需預估 Kyocera, Fujitsu Kinsus Flip Chip Assembly Technology Flip Chip Process Steps 1. Incoming Wafer 2. Incoming Substrate → Pre-bake 3. Wafer Mount → 研磨 4. Saw 5. 2nd Optical Inspect 6. Die Attach * ( Plasma, option for flux jetting ) →Fluxing ( or flux jetting ) → Placement(對位放置) * Reflow →Flux cleaning 續 Flip Chip Process Steps 7. 3rd Optical Inspect Underfill (灌底膠: 填充保護Ball Bond ) *Pre-bake *Plasma clean →contact angle measurement *Dispense ( 點膠 ) *Cure Back end processing *Ring / Lid attach *Laser marking *Ball mount FC Die Attach Overview Pick from Wafer Die Flip Pick from Die Flipper Die Flux Place Reflow Reflow Process Solder Bump Composition Eutectic → Sn / Pb : 63 /37 →183 ℃( 熔點 ) Pb Free → Sn / Ag : 96.5 / 3.5 →221 ℃ Sn / Ag / Cu : 95.5 / 4 / 0.5 →217℃ Hi-Pb → Sn / Pb : 5 / 95 or 10 / 90 → 310 ℃ Reliability 較好 ( 溫度 ) 抵抗電遷移, IMG 長的比較長 不易熔 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 350 300 250 200 150 100 50 0 Atomic Percent Tin Weight Percent Tin 金屬成分比例 Temperature ℃ 327.502℃ 231.9661℃ 18.3 61.9 97.8 β Sn Sn 固液共存 固液共存 Pb 固態共金結構 L 液態 固態鉛的結晶結構 錫的結晶結構 建議後硬化條件 Post Mold Cure Condition Molding condition template 轉進時間：取決壓桿速度影響模流 材料成型 成型前準備 Preparation 冷凍保存(10℃ ) Cold Storage (10℃ ) 回溫Stabilizing ( ~
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