CH 齐纳二极管与雪崩二极管.ppt

南京信息工程大学 大气物理学院 施广全 CH 5 齐纳二极管与雪崩二极管 施广全 主讲 两种二极管都是工作在反向击穿区，二者的区别在于耐受暂态脉冲冲击能力和箝位电压水平等方面有所差异。 §5.1伏安特性 分为三个工作区：正向区、反向区和击穿区。 击穿区的伏安特性可用下式来表示： c、a为常数，由具体的伏安特性数据来拟合确定。上式与压敏电阻在箝位工作区的伏安特性表达式是类似的。 齐纳二极管伏安特性的非线性比较差，a值为7～9，雪崩二极管的a值为50～70。 为了抑制正、负两种极性的过电压，可以把两只雪崩二极管的阴极串联起来，封装成一体。 采用这种组装方式，可以减小单个管子间连线的寄生电感，改善箝位效果，同时也能减小体积。 §5.2 反向击穿 反向击穿电压小于5V的二极管一般具有齐纳击穿过程： 反向击穿电压大于8V的二极管具有雪崩击穿过程； 反向击穿电压在5V～8V之间的二极管可能同时具有齐纳或雪崩击穿过程。 温度对两种二极管击穿电压的影响 对齐纳二极管，温度升高时，击穿电压会下降； 对雪崩二极管，温度升高时，击穿电压会上升。 对可能兼备齐纳与雪崩过程的二极管，温度升高时，击穿电压可能会下降，也可能会上升。 §5.3泄漏电流及响应时间 一、泄漏电流 影响泄漏电流大小的主要因素是：外加反向电压的大小、管子结区的温度。 下图给出了三只具有不同击穿电压的管子在不同温度下泄漏电流IL随反向电压UR变化的特性。 三只管子的泄漏电流总是随反向电压的增大而增大。但是，击穿电压低的管子其泄漏电流明显高于击穿电压高的管子。 温度对于管子泄漏电流的影响程度也是不同的： 对于击穿电压低的管子，不同温度下IL～UR特性曲线是相互靠近的，且随着反向电压的增大，各温度下的特性曲线更加靠近，即温度的影响进一步减小。 对于击穿电压高的管子，泄漏电流的绝对值很小，但温度变化对泄漏电流引起的相对变化是明显的。 二、响应时间 响应时间是表征齐纳二极管和雪崩二极管性能的一个重要的指标，为了得到可靠的保护，响应时间总是越小越好。 相对于气体放电管和压敏电阻来说，齐纳二极管和雪崩二极管的响应时间是非常短的。 §5.4 寄生电容及其减小方法 一、寄生电容 齐纳二极管和雪崩二极管的寄生电容存在于管子的结区间，它主要由管子结面、半导体材料的电阻率与介电常数，外加电压来确定。 管子的功率对寄生电容也有影响。管子的功率增大，结的面积也相应增大，以便减小热阻，提高通流能力，于是管子的寄生电容也会增大。 二、减小寄生电容的方法 图中，将普通二极管与雪崩二极管串联使用，普通二极管的寄生电容很小，约为50pF，串联后的支路电容将有大幅度的减小。 §5.5箝位电压与脉冲功率 一、箝位电压 齐纳二极管与雪崩二极管的击穿限压主要用反向击穿电压UZ和反向击穿电流IZ来表征。 管子击穿电压UZ的偏差范围： ±5%～±10% 二、脉冲功率 一般二极管的稳态耗散功率在0.4W～5W之间，但遇到暂态脉冲冲击时，管子能够吸收的暂态脉冲功率比稳态耗散功率大几百倍。 管子的脉冲功率在10/1000us的脉冲波形下定义为最大脉冲电流峰值Ipk与最大箝位电压Ucm的乘积。 当考虑管子的额定脉冲功率的参数时，要考虑到实际的暂态脉冲波形。如果实际脉冲的持续时间比10/1000us的短，则管子可以吸收比额定脉冲功率值更大的暂态功率，管子自身不会被损坏。一只典型的雪崩二极管在8/20us波形下能够通过的最大脉冲电流要比它在10/1000us波形下能够通过的最大脉冲电流大6~10倍。 §5.6噪音和损坏形式 一、噪音 齐纳二极管或雪崩二极管工作于伏安特性曲线上转折点附近小电流区时，可能会产生噪音。 即使电流变化比较小，相应的电压也会出现跳变，这样就产生了噪音电压。 为了避免噪音干扰的产生，要根据具体设备的正常运行电压来确定管子的参数，使系统的最高运行电压峰值尽可能与管子的击穿电压值之间有足够的差值，从而使管子在系统正常运行状态下不会工作于伏安特性的转折部位，即处于弱导通状态。 反向变位电压URS：管子在泄漏区内其两端所能施加的最大电压（临界击穿时，反向电压接近但尚未达到击穿电压值），在此电压下管子不应击穿。 最大泄漏电流IRL：在反向变位电压作用下，管子中流过的最大反向电流。 二、损坏形式 齐纳二极管和