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第一章 X 射线物理学基础 一、X 射线产生的主要装置和条件 主要装置：阳极靶材、阴极灯丝 条件：a. 大量自由电子；b. 定向高速运动；c. 运动路径上遇到障碍（靶材） 二、短波限 一个电子在与阳极靶撞击时，把全部能量给予一个光子，这就是一个光量子所能获得的最大 能量，即：hc/λ=eU ，此时光量子的波长即为短波限λ 。 SWL 三、连续 X 射线（强度公式） 大量电子在与靶材碰撞的过程中，能量不断减小，光子所获得的能量也不断减小，形成了一 系列由短波限 λ 向长波方向发展的连续波谱。 SWL I  K iZU 2 连续谱强度 1 四、特征X 射线（莫塞莱定律） 当X 射线管两端的电压增高到某一特定值 Uk 时，在连续谱的特定的波长位置上，会出现一 系列强度很高，波长范围很窄的线状光谱，它们的波长对一定材料的阳极靶材有严格恒定的 数值，此波长可作为阳极靶材的标志或特征，所以称为特征谱或标识谱。 1 莫塞莱定律：  K 2 Z   I  K i ( U - U )m （Un 为临界激发电压，原子序数 Z 越大，Un 越大） 3 n 1 五、X 射线吸收（透射）公式—— （质量吸收系数：单质、化合物（固溶体、混合物））  t  m 单质 I  I 0 e m  I 0 e m n 化合物    w m mi i i1 六、光电效应、荧光辐射、俄歇效应 光电效应：当入射 X 射线光量子能量等于或略大于吸收体原子某壳层电子的结合能时，电 子易获得能量从内层逸出，成为自由电子，称为光电子，这种光子击出电子的现象称为光电 效应。 荧光辐射：因光电效应处于相应的激发态的原子，将随之发生如前所述的外层电子向内层跃 迁的过程，同时辐射出特征 X 射线，称 X 射线激发产生的特征辐射为二次特征辐射，称这 种光致发光的现象为荧光效应。 俄歇效应：原子K 层电子被击出后， L 层一个电子跃入 K 层填补空位，而另一个L 层电子 获得能量逸出原子成为俄歇电子，称这种一个K 层空位被两个 L 层空位代替的过程为俄歇 效应。 光电效应——光电子 荧光辐射——荧光 X 射线（二次 X 射线） 俄歇效应——俄歇电子 2 七、吸收限及其两个应用：滤波片的选择、靶材的选择 吸收限：欲激发原子产生 K 、L 、M 等线系的荧光辐射，入射 X 射线光量子的能量必须大于 或至少等于从原子中击出一个K 、L 、M 层电子所需的能量 W 、W 、W ，如， K L M W = h = hc / ，式中， 、 是产生K 系荧光辐射时，入射 X 射线须具有的频率和波 K K K K K 长的临界值。荧光辐射将导致入射 X 射线的大量吸收，故称  、 、 等为被照射物质的 K L M 吸收限。（理解） 滤波片的作用：强烈吸收K 线，而对 K 线吸收很少。 滤波片选择原则：使其吸收限恰好位于特征谱的K 和