本科八个传感器实验概要.docx

实验一 电容式位移传感器位移测量实验一、实验目的：了解电容式传感器的结构及其特点。 二、基本原理：利用平板电容C=εA/d的关系,在ε（介电常数）、A（面积）、d（截距）三个参数中，保持二个参数不变，而只改变其中一个参数，就可使电容的容量(C)发生变化，通过相应的测量电路，将电容的变化量转换成相应的电压量,则可以制成多种电容传感器，如：①变ε的湿度电容传感器。②变d的电容式压力传感器。③变A的电容式位移传感器。本实验采用第③种电容传感器,是一种圆筒形差动变面积式电容传感器。三、需用器件与单元：电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、移相/相敏检波/滤波模板、数显单元、直流稳压电源。四、实验步骤：1、按图（1-1）将电容传感器装于实验模板上，用专用电容连接线连接电容传感器与实验模块。2、实验接线见图（1-1），将电容传感器实验模板的输出端V01与数显电压表Vi相接，电压表量程置2V档，Rw调节到中间位置。图（1-1）3、接入±15V电源，将测微头旋至10mm处并传感器相吸合，调整测微头的左右位置，使电压表指示最小，将测量支架顶部的镙钉拧紧,旋动测微头，每间隔0.2mm或0.5mm记下输出电压值(V)，填入表1-1。表1-1:容式传感器位移与输出电压的关系位移（mm）……-2.0-1.5-1.0-0.5-ΔX←0 +ΔX→0.51.01.52.0…电压(Vp-p)Vmin4、将测微头旋回到10mm处，反向旋动测微头，重复实验过程填入表1-1。图（4-1）5、根据表1-1数据计算电容传感器的灵敏度S，分析误差来源。五、实验小结实验二 电涡流传感器位移实验一、实验目的：了解电涡流传感器测量位移的工作原理和特性。二、基本原理：通以高频电流的线圈会产生高频磁场，当有导体接近该磁场时，会在导体表面产生涡流效应，而涡流效应的强弱与该导体与线圈的距离有关，因此通过检测涡流效应的强弱即可以进行位移测量。三、需用器件与单元：电涡流传感器实验模板、电涡流传感器、直流电源、数显单元、测微头、铁圆片。四、实验步骤：1、根据图2－１安装电涡流传感器。2、观察传感器结构，这是一个扁平的多层线圈，两端用单芯屏蔽线引出。3、按图2-2将电涡流传感器输出插头接入实验模板上相应的传感器输入插口，传感器作为由晶体管T1组成振荡器的一个电感元件。４、在测微头端部装上铁质金属圆片，作为电涡流传感器的被测体。５、将实验模板输出端V0与数显单元输入端Vi相接。数显电压表量程置20V档。图2-1图2-2６、用连接导线从主控箱接入＋15V直流电源到模板上标有+15V的插孔中。７、移动测微头与传感器线圈端部接触，开启主控箱电源开关，记下数显表读数，旋转测微每隔0.2mm读一个数，直到输出几乎不变为止，将结果填入表2-1。表2-1：电涡流传感器位移与输出电压数据位移X(mm）00.20.40.60.81.01.21.41.61.8电压(V)8、根据表2-1数据，画出V-X曲线，试计算量程为1mm、3mm及5mm时的灵敏度五、实验小结实验三 被测体材质对电涡流传感器特性影响实验一、实验目的：了解不同的被测体材料对电涡流传感器性能的影响。二、基本原理：影响涡流效应的强弱除了上面提及的因素外，与金属导体本身的电阻率和磁导率也有关系，因此不同的材料就会有不同的涡流效应，从而改变电涡流传感器的测量性能。三、需用器件与单元：电涡流传感器实验模板、电涡流传感器、直流电源、数显单元、测微头、铁圆片，铜圆片四、实验步骤：1、根据图3－１安装电涡流传感器。2、按图3-2将电涡流传感器输出插头接入实验模板上相应的传感器输入插口，传感器作为由晶体管T1组成振荡器的一个电感元件。４、在测微头端部装上铁质金属圆片，作为电涡流传感器的被测体。５、将实验模板输出端V0与数显单元输入端Vi相接。数显电压表量程置20V档。图3-1图3-2６、用连接导线从主控箱接入＋15V直流电源到模板上标有+15V的插孔中。７、移动测微头与传感器线圈端部接触，开启主控箱电源开关，记下数显表读数，旋转测微每隔0.2mm读一个数，直到输出几乎不变为止，将结果填入表3-1。8、将原铁圆片换成铜圆片。3、重复上述实验步骤，并将数据记录在表3-2表3-1：被测体为铁圆片时的位移与输出电压数据：位移X(mm）00.20.40.60.81.01.21.41.61.82.0电压(V)表3-2：被测体为铜圆片时的位移与输出电压数据：位移X(mm）00.20.40.60.81.01.21.41.61.82.0电压(V)4、比较铜片和铁片的灵敏度5、将上述铜片、铁片换成非金属材料，实验出现什么结果。五、实验小结实验四 压阻式压力传感器压力测量实验一、实验目的：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。二、基本原理：扩散硅压阻式压力传感器如图（