第一章-硅的晶体结构、环境与衬底制备.pptVIP

硅片表面抛光可分为一次抛光和多次抛光，即把抛光分为粗、精抛两个步骤或粗、细、精三个步骤，抛光的步骤越多，所能达到的精密度越高。 粗抛-将研磨造成的损伤层和畸变层高效率的去除，并达到一定的平整度和光洁度; 精抛-去除粗抛过程存在的损伤层，改善硅片表面的微粗糙度，实现表面高光洁度。 ③质量监测：晶片精细加工后的项目:晶片厚度、平整度、翘曲度、表面形貌及损伤。表面形貌主要涉及表面波纹状起伏、桔皮纹、雾状物、划痕等。 表面形貌和划痕可利用聚光灯来检测,在聚光灯强光照射下,表面凹坑和凸起使晶片表面反射光产生明显的照度差,较容易观测。 1、微电子加工对环境质量有哪些基本要求？ 2、试比较几种物理吸杂方法的优缺点？ 3、简述晶向标识的作用，分别画出n型和p型硅片的(100)和(111)示意图。 4、简述化学抛光、机械抛光和化学机械抛光的过程及特点。 思考题 1.6 微电子加工环境 1.6.1 环境对成品率的影响 1.6.2 超净空间环境要求 1.6.3 超纯水 1.6.4 超纯气体和超纯试剂 1.7 衬底材料 1.7.1 IC与硅材料 1.7.2 大直径单晶制备 1.8 衬底制备 1.8.1 单晶的整形和定向 1.8.2 晶片加工 微电子加工环境是指微电子产品在加工过程中所接触的除单晶材料、加工设备及加工技术之外的一切物质。 微电子