半导体物理与器件第六章.ppt

§6.2过剩载流子的性质 过剩载流子在电场作用下的漂移作用 过剩载流子在浓度梯度下的扩散作用 连续性方程：空间中某微元体积内粒子数随时间的变化关系与流入流出该区域的粒子流密度及该区域内的产生复合的关系。 将x+dx处的粒子流密度进行泰勒展开，只取至一阶项： 与时间有关的扩散方程 §6.3 双极输运过程 我们在第四章中导出的电子电流密度方程和空穴电流密度方程中，引起漂移电流的电场最初实际上指的是外加的电场，该电场在关于电子和空穴与时间相关的扩散方程中仍然出现。如果在有外加电场存在的情况下，在半导体材料中的某一点处产生出了一个脉冲的过剩电子和一个脉冲的过剩空穴，此时这些过剩电子和过剩空穴就会在外加电场的作用下朝着相反的方向漂移，但是由于这些过剩电子和过剩空穴都是带电的载流子，因此其空间位置上的分离就会在这两类载流子之间诱生出内部电场，而这个内建电场又会反过来将这些过剩电子和过剩空穴往一起拉，即内建电场倾向于将脉冲的过剩电子和过剩空穴保持在同一空间位置，这个过程如下页图所示。 由于过剩电子和过剩空穴相互分离所诱生的内部电场示意图 其中Eapp为外加电场，而Eint则为内建电场。由于内建电场倾向于将脉冲的过剩电子和过剩空穴保持在同一空间位置，因此这些带负电的过剩电子和带正电的过剩空穴就会以同一个等效的迁移率或扩散系数共同进行漂移或扩散运动。这种现象通常称为双极扩散或双极输运过程。 其中εS是半导体材料的介电常数。为了便于联立求解上述方程组，我们需要做适当的近似。可以证明，只需很小的内建电场就足以保证过剩电子和过剩空穴在一起共同漂移和扩散，因此我们可以假设： 为了确保内建电场的存在，以便使得过剩电子和过剩空穴能够在一起共同漂移和扩散，只需很小的过剩电子和过剩空穴的浓度差。可以证明，过剩电子浓度δn和过剩空穴浓度δp只要有1％的差别，其引起的内建电场散度就不可以忽略，此时有： 上式中的载流子寿命既包括了热平衡载流子的寿命，也包括了过剩载流子的寿命。如果我们继续沿用电中性条件，则有： 上式通常称为双极输运方程，它描述了过剩电子浓度和过剩空穴浓度随着时间和空间的变化规律，其中的两个参数分别为： 由上述公式可见，双极扩散系数D’和双极迁移率μ’均为载流子浓度的函数，又因为载流子浓度n、p中都包含了过剩载流子的浓度δn ，因此双极输运方程中的双极扩散系数和双极迁移率都不是常数，由此可见，双极输运方程是一个非线性的微分方程。 非本征掺杂与小注入条件的限制 对于上述非线性的双极输运方程，我们可以利用非本征半导体材料和小注入条件来对其进行简化和线性化处理。 式中δn是过剩少数载流子电子的浓度，而τn0则是小注入条件下少数载流子电子的寿命。 类似地，对于N型半导体材料来说，小注入条件下的双极输运方程同样可表示为： 最后特别需要指出的是，对于上述两个双极输运方程来说，其中的参数都是少数载流子的参数。这两个双极输运方程描述了过剩少数载流子随着时间和空间的变化而不断发生漂移、扩散和复合的规律。再根据电中性原理，过剩少数载流子浓度与过剩多数载流子浓度相等，因此过剩多数载流子与过剩少数载流子一起进行扩散和漂移，即过剩多数载流子的行为完全由少数载流子的参数决定，这种双极输运特性是半导体物理中的一种非常重要的现象，它是我们认识和理解多种半导体器件特性的重要基础。 * 半导体物理与器件 E + + + - - - hν hν 通过后边的内容讨论，我们可以发现过剩载流子的漂移和扩散并不是独立进行的，而有相互影响 dx dy dz 连续性方程的根本出发点：电荷守恒定律 x y z 则由于粒子流引起在单位时间内微元体积内粒子数的净增加量为： 如果在该体积内还存在粒子的产生和复合过程，则总的粒子数增加量： dt时间内空穴浓度增量 该空间位置的流量散度 微元体积 复合率 方程两侧除以微元体积，得到单位时间空穴浓度的净增加量 同理，电子的一维连续性方程： 一维空穴和电子的电流密度： 显然，粒子流密度和电流密度有如下关系： 从中可以求出散度 或 代入连续性方程中可以得到 对于一维情况 得到电子和空穴的扩散方程 上述两式就是有关电子和空穴的与时间相关的扩散方程。由于电子和空穴的浓度中都包含了过剩载流子的成分，因此上述两式也就是描述过剩载流子随着时间和空间变化规律的方程。 由于电子和空穴的浓度中既包含热平衡时的载流子浓度，也包含非热平衡条件下的过剩载流子浓度，而热平衡时的载流子浓度n0、p0一般不随时间变化，对于掺杂和组分均匀的半导体材料来说， n0和p0也不随空间位置变化，因此利用关系： 电子和空穴的与时间相关的扩散方程可写为如下形式： 注意在上述两个时间相关的扩散方程中，既包含与总的载流子浓