半导体物理与器件——第十章.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 将上述三部分等效电路组合起来，就形成了一个BJT器件完整的混合π型等效电路模型 由于上述完整的混合π型等效电路模型中包含较多的电路元件，因此往往采用计算机来进行计算求解。然而，我们可以用简化的模型来对晶体管的频率响应进行适当的估计，这样我们可以得到晶体管的增益为信号频率的函数这样一个重要的结论。 P.298 例10.11 §10.6 BJT的频率限制因素在混合π型等效电路模型中，通过电阻、电容效应的影响实际上已经引入了BJT器件的频率特性。这一节中我们将进一步讨论限制BJT器件频率特性的几个主要因素。 时间延迟因子： 双极型晶体管实际上是一种渡越时间器件，当输入信号的频率增大时，载流子的渡越时间就会与输入信号的周期可比拟，此时输出响应就会跟不上输入信号的变化，因而电流增益也会出现下降的趋势。我们可以将载流子由发射区渡越到集电区总的延迟时间划分为以下四个独立的部分。 re’为发射结的扩散电阻，Cp为发射结的寄生电容。 发射结电容充电时间 基区渡越时间 少数载流子扩散通过中性基区所需的时间，对npn型BJT晶体管来说，基区中的电子电流密度可表示为： 集电结耗尽区渡越时间 假设电子以饱和漂移速度vs通过集电结耗尽区，则BJT器件的集电结耗尽区渡越时间可表示为： 上式中Cμ为集电结电容，CS为集电区与衬底之间的电容，rC为集电区串联电阻，τC通常比较小，在有些情况下可以忽略不计。 BJT器件的截止频率：对于交流小信号情形，电流增益是频率的函数。共基极电流增益和频率有关系： 集电极电容充电时间 xdc为集电结耗尽区宽度 当输入信号频率f达到共基极电流增益截止频率fα时，BJT器件共基极电流增益的幅度将下降为低频时的1/ 倍。 利用共发射极电流增益与共基极电流增益之间的关系，可求出当f=fα时共射极电流增益与频率的关系： 上式中β0是低频条件下BJT器件的共发射极电流增益，fβ是共发射极电流增益β的截止频率，当输入信号频率f达到共发射极电流增益截止频率fβ时，BJT器件共发射极电流增益的幅度将下降为低频时的1/ 倍。利用前面给出的关系式可得： p.301 例. 10.12 §10.7 BJT器件的大信号开关特性 BJT器件也可以工作在开关状态，此时外加信号为大信号，BJT器件在截止关断和饱和导通两种状态之间转换，如下图所示，右图为工作在开关状态的双极型晶体管电路图，左图为输入的开关信号波形图。 当t=0时，输入信号由低电平变为高电平；当t=t3时，输入信号则由高电平变为低电平。 下图所示为BJT器件集电极电流的变化波形，其中td称为延迟时间，tr称为上升时间，ts称为存储时间，tf称为下降时间。在td时间内，发射结充电，BJT逐渐开始导通；在tr时间内，基区载流子积累，BJT逐渐进入饱和；在ts时间内，抽取基区过剩载流子，逐渐退出饱和；在tf时间内，发射结放电，BJT逐渐变为关断； 当BJT器件分别处于正向放大状态和饱和状态时，器件基区和集电区中的电荷存储效应 肖特基钳位晶体管 采用肖特基钳位二极管可以减小存储时间，提高开关速度。其电路符号如图所示。 连接于晶体管C、B极之间的肖特基二极管具有较小的正向偏置电压，因而使晶体管在应用于饱和模式时，其饱和程度比较浅，因而基区和集电区存储的过剩少子浓度比较少。因而存储时间可以大大减少。提高开关速度。 在肖特基钳位晶体管中，存储时间通常为1ns或更小 B E C B E C §10.8 BJT器件制造技术简介 在本节中，我们将介绍几种典型的双极型晶体管制造技术，包括多晶硅发射极晶体管、锗硅基区晶体管和双极型功率晶体管。 多晶硅发射极晶体管 因此BJT器件发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度大大降低（如下页图所示），从而可以有效地提高BBJT器件发射结的注入效率及其共发射极电流增益。 利用多晶硅发射极减小发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度，从而提高发射结的正向注入效率，因为： SiGe基区晶体管 非常小浓度的线性锗分布 E B C 硅基区 锗硅基区 E C B 内建加速电场 基区渡越时间降低 在相同的基极电流下，增益大导致发射极电流大，因而发射极扩散电阻小，E-B结充电时间短，截止频率高 异质结双极晶体管 P-AlGaAs n-GaAs 和同质发射区相比，基区注入到宽禁带发射区的空穴