半导体光电子技术第一章.ppt

可以认为在超高真空中洁净半导体表面是理想表 面，从化学键方面来可以说明理想表面的表面态。 图 硅表面悬挂键 以硅晶体为例说明： 表面态对半导体各种物理过程有重要影响，特别 是对许多半导体器件的性能影响更大。 除了上述表面态外，在表面处还存在由于晶体缺 陷或吸附原子等原因引起的表面态，这种表面态的特 点是表面态面密度与表面经过的处理方法有关，而达 姆表面态密度对给定的晶体在“洁净”表面时为一定值。 2）设异质结两边的材料具有不同的功函数Ws和电 子亲和势能 价带顶E+ 真空能级 有关概念： 导带底E- 费米能级 半导体的功函数Ws Ws = E0 ? (EF )s 半导体的电子亲和势能 χ χ = E0 ? E? 利用亲和势能，可将半导体的功函数Ws表为 Ws = χ + [ E? ? ( EF ) s ] = χ + En En = E? ? ( EF ) s 而 n型半导体中Ws、χ、En的关系如图所示 χ E0 E- EF E+ Ws En χ1 χ2 Ws1 Ws2 EF2 EF1 E1- E1+ 3) 作异质结能带图的基本步骤 共分三步 E0 E2- E2+ E1g E2g p-GaAs N-GaAlAs 成结前两半导体能带图 共分三步 1.用同一水平能级作为参考能级，即真空能级E0。 依据两半导体的Ws，χ和Eg值，画出成结前两种 半导体材料的各自能带图。 2.成结后两种材料变为一个系统，达到热平衡 时，两部分费米能级对齐，因费米能级是系统的 化学势，它是平衡态参数。成结后结区外两部分 的Ws，χ和Eg值保持不变。 界面处两块半导体成空间电荷区（即 势垒区或耗尽层） p - - - - - - - - + + + + + + + + N E(内建电场) 能带总弯曲量为真空电 子能级的弯曲量，即 eVD = eVD1 + eVD2 显然 VD = VD1 + VD2 结 VD—接触电势差（或内建电 势差，扩散电势） VD1， VD2—分别是交界面两 侧的p型半导体和N型半导体中 的内建电势差。 ? V ( x) = ? 3.根据空间电荷区的电荷密度求解泊松方程，就 可得到结两边空间的静电势和相应的电子、空穴 的势垒高度以及结区厚度xD eVD = Ws1 ? Ws 2 = EF 2 ? EF 1 (e为电子电荷，VD为接触电势)，它也等于在结形 成前两种材料的费米能级之差。从而就可知道空 间电荷区的范围内真空能级的弯曲情况。 ρ ε 2 Eg1 χ1 WS1 χ2 WS2 E2+ E1- EF eVD = ( VD1 + VD2 ) e eVD2 ΔEc ΔEν b.成结后 eVD1 p-GaAs Eg2 N-GaAlAs 2 突变p-N异型异质结 ?Eν = Eg2 ? Eg1 ? ?Ec = ?Eg ? ?χ ?Eg = ?Ec + ?Eν E2- E2+ E1+ E0 E1- EF Ws1 χ1 Eg1 ΔEν eVD = ( VD1 + VD2 ) e ΔEc eV D2 eVD1 χ2 Ws2 Eg2 xN xD xp x0 p-GaAs N-GaAlAs x 图1 p-N异型异质结能带图 ?Ec = χ1 ? χ 2 = ?χ = EF2 ?EF1 =Ws1 ?Ws2 ρ1 ( x) = ?eN A1 ρ2 ( x) = eN D 2 ( x p x 0) (0 x xN ) （1） 1).突变异质结的接触电势差及势垒区宽度的关系— —热平衡条件下结厚度xD与接触电势差VD的关系 2 ε 设： p-GaAs和N-GaAlAS半导体中的杂质都是均匀分布的， 其浓度分别为NA1 和ND2。 介电常数为ε1和ε2， 设它们全部电离 势垒区的正负电荷区的宽度分别为-xp和xN，x=0为交界面， 则交界面两边的电荷密度为 ? x p N D 2 ? x p = 势垒区的总宽度为 按电中性的要求，势垒区单位结面积的正负电荷总量相等 （2） eN A1 (? x p ) = eND 2 xN = Q xD = xN ? x p （3） 由（3）式得出 = xN N A1 由（2）式和（4）式求得 （4） N D 2 xD N A1 + N D 2 N A1 xD N A1 + N D 2 xN = （