半导体物理第十一章.doc

§11.2 霍耳效应 一、原理 在相互垂直的电磁场中，导体或半导体因运动载流子受洛仑兹力改变运动方向，而在垂直于电磁场平面的方向形成电荷积累，产生横向附加电场的现象。 若电流沿x方向，电流密度为JX；均匀磁场沿z方向，磁感应强度为BZ；则在垂直于电场和磁场的+y或(y方向将产生—个横向电场Ey，称之为霍耳电场，其值与电流密度JX和磁感应强度BZ成正比，即 （11－3） 系数RH称为霍耳系数，其值与载流子的密度和迁移率有关，并因载流子极性不同而分正负。霍尔系数的单位为m3/C。 二、一种载流子的霍耳系数 图11-6(a)、(b)分别表示p型和n型半导体的霍耳效应。设样品的温度是均匀的，而且为简单起见，认为所有载流子都具有相同的速度，即不考虑速度的统计分布。 1、p 型半导体 当沿X方向加电场EX时，空穴漂移速度为vx，电流密度JX=pqvx。在垂直磁场BZ作用下，空穴受到洛伦兹力qv×B，方向沿(y方向，大小为qvxBz。空穴在洛伦兹力作用下向(y方向偏转，如同附加一个横向电流，因而在样品两端引起电荷积累，A面积累空穴，如图11-6(a)所示。这时在+y方向产生横向电场，当横向电场对空穴的作用与洛伦兹力作用相抵消时，达到稳定状态。因此，霍耳电场应满足 即 与式(11-3)相比，得p型半导体的霍尔系数 （11－4） 图11-6霍耳效应 2、n型半导体 对同样的电场EX和磁场BZ，电子沿(x方向漂移，洛伦兹力为(qv×B，仍沿(y方向，但A面积累电子，霍耳电场沿(y方向，如图11-6(b)所示。稳定时，霍耳电场Ey满足 由此得n型半导体的霍尔系数 （11－5） 由此看出，n型和p型半导体的霍耳电场方向相反，霍耳系数的符号也相反。 通过霍耳电压UH的测量可以求出RH。测试采用厚度和宽度比长度小得多的矩形样品，如图11-7所示。设样品长度为l，宽度为b，厚度为d，则 三、霍尔角 横向霍耳电场的出现说明，在垂直于电场的方向施加磁场时，电流与电场不再有同一方向，两者之间的夹角θ称为霍耳角。稳定时，y方向没有电流，电流仍沿x方向，但是合成电场不再沿X方向。对p型半导体，电场E偏向+y方向，霍耳角为正，用θp表示；对于n型半导体，电场E偏向(y方向，霍耳角θn为负。参照图11-6，不难看出 四、霍尔效应的理论分析 电子在电场强度为E、磁感应强度为B的电磁场中运动时，其运动方程为 可以证明，电子的运动由两部分组成：一部分是在磁场作用下的初速度为v0的运动；另一部分是在电场和磁场共同作用下的初速度为零的运动。第一部分是一个以B的方向为轴的螺旋运动，即沿B方向的匀速运动和垂直于B方向的圆周运动的叠加；因为每次散射后运动的无规则性，所以这一部分运动经多次散射后的平均速度应为零。因此，只需分析第二种运动。 因为E=(Ex, Ey, 0)，B＝(0, 0, Bz)，所以电子运动方程式为 利用初始条件t＝0时v＝0，可得其解为 式中ω＝qBZ/m*。选择x′y′为轴，使E沿Ox′方向，即选E=(Ex′, 0, 0)，则结果简化为 其运动轨迹为 它表示的是以x′y′为轴的旋轮线(Cycloid)，如图11-8所示。 利用以上结果计算多次散射后的平均速度，结果为 式中N0为t＝0时末遭散射的电子数，τ＝1/P为平均自由时间，式中假定τ是常数。于是，电场Ex和磁场Bz共同作用下的电流密度可表示为 式中，令 相应地 则电流密度方程可改写为 式中，σxy和ρxy分别被称为霍耳电导率和霍耳电阻率。这说明，在电场和磁场同时存在的情况下，电流密度J与电场E的关系具有张量形式，即Ji=∑(ijω＝qBz/m*，再次证明 这时，电子的运动轨迹如图11-8中曲线2所示，为沿(x方向边画弧边前进的运动。不过，图中所示并非电子的真实运动轨迹，因为分析中略去了每次散射后由初速度v0引起的螺旋运动。 五、霍尔迁移率 以上分析没有考虑载流子速度的统计分布，如果考虑载流子速度的统计分布，必须求解玻耳兹曼方程，其结果，对p型半导体为 霍尔系数相应地变为 同样，考虑载流子速度的统计分布后，n型半导体的霍尔系数变为 式中τ为平均自由时间，v为载流子漂移速度，τ2v2、v2、τv2分别表示统计平均值。 按第4章，考虑载流子速度的统计分布之后，电子和空穴的迁移率分别为 ； 将其分别代入(n=qn(n和(p=qp(p，并与RH相乘可得 称μH为霍耳迁移率。霍耳迁移率与迁移率之比为 为进一步区别，电子和空穴的平均自由时间分别用τn和τp表示。引进μH/μ后，p型和n型半导体的霍耳系数分别为 ； 霍耳角变为 对能带结构简单的球形等能面非简并半导体，(μH/μ)p＝